Име на п о оиз одgydF4y2Ba | ТрансдуцерсораздвојувањенајадротонасензоротзаструјасоефектнасалаgydF4y2Ba |
P / NgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
Примарна номинална ст с с а аgydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
ИзлезеннапонgydF4y2Ba | Единечна моќност 2,5±2vgydF4y2Ba |
ДвојнамоќностgydF4y2Ba | Двојна моќност 0±4vgydF4y2Ba |
Изолација издржи напонgydF4y2Ba | 3 kv / 1минgydF4y2Ba |
РаботнафреквенцијаgydF4y2Ba | 50 - 60赫兹gydF4y2Ba |
РаботнатемператураgydF4y2Ba | -40℃~ +85℃gydF4y2Ba |
ИзолацијаgydF4y2Ba | Капсулирана епоксидна смолаgydF4y2Ba |
НадворешенслучајgydF4y2Ba | Заштитник на пламен PBTgydF4y2Ba |
一个gydF4y2BaапликацијаgydF4y2Ba | Електричниапаратисопроменливафреквенција,инвертер,AC / DCпогонсопроменливабрзинаgydF4y2Ba Напојувањавопрекиненрежим(smp),напојувањазанепрекинатонапојување(UPS),gydF4y2Ba |
ЛеснаинсталацијаgydF4y2Ba
Структура на прозоре л орgydF4y2Ba
Нискапотрошувачканаенергиј,амногудобралинеарностgydF4y2Ba
СамоедендизајнзаширокопсегнарејтинзинаструјаgydF4y2Ba
Висок им и нит тет на на ад о о е ни пре т киgydF4y2Ba
Нема за а с с с с п с с ме е н с а а нgydF4y2Ba
Сензор за с с - с - с - с - с - о ос - на моќностgydF4y2Ba
Електрични подато и и (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba
ОценетвлезgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | 20/50/100gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
МеренопсегgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±30 /±75±150gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
ИзлезеннапонgydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
Отпорност на оптова а а еgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | > 10gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
Напон на напо по с аgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
ТочностgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @IPN, T = 25°C <±1,0gydF4y2Ba | %gydF4y2Ba |
ОфсетнапонgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
Температурна ва а и с а аgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0,-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba <±0 5 / <±0 5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
Температурна ва а и с а аgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn,-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba | %gydF4y2Ba |
Хистерезис оф - сет на апонgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @ip =0,по 1* ipn <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
Грешка во о линеа ностаgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba | < 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
Време на од о о орgydF4y2Ba | траgydF4y2Ba | @90% од ipn < 5,0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
Потрошувачка на енер р и с аgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
@-15V < 4、5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
ПропусенопсегgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
Напон на изолаgydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60Hz, 1 мин, AC, 1,5 mA 4,0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
ТипнапрстенЕлектричниподатоци:(Ta = 25°C; Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba
ПараметарgydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
ЕдиницаgydF4y2Ba |
|
ОценетвлезgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
One hundred.gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
300gydF4y2Ba |
400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
МеренопсегgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
0,±50gydF4y2Ba |
0,±100gydF4y2Ba |
0,±200gydF4y2Ba |
0 ~±300gydF4y2Ba |
0,±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
Отпорност на оптова а а еgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
Напон на напо по с аgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
ТочностgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
%gydF4y2Ba |
|||
ОфсетнапонgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
Температурна ва а и с а аgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
Хистерезис оф - сет на апонgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@ip =0, по 1* ipngydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
Грешка во о линеа ностаgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
Време на од о о орgydF4y2Ba | траgydF4y2Ba |
@90% од ipngydF4y2Ba | < 3.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
|||
Потрошувачка на енер р и с аgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
ПропусенопсегgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
Напон на изолаgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz 1мин。、交流gydF4y2Ba | 2.5gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
Општиподатоци:gydF4y2Ba
参数ПараметарgydF4y2Ba | 符号СимболgydF4y2Ba |
数值ВредностgydF4y2Ba |
单位ЕдиницаgydF4y2Ba |
РаботнатемператураgydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
Температура на ск кладираgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
ТежинаgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
ПластиченматеријалgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
СтандардиgydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
(Димензиимм):gydF4y2Ba
Забелешки:gydF4y2Ba
1,Когаструјатаќесемерипоминуванизпримарниотпиннасензорот,напонотќесемеринаизлезниоткрај。(Забелешка:Лажнитежициможедарезултираатсооштетувањенасензорот)。gydF4y2Ba
2,Прилагодендизајнворазличнаноминалнавлезнаструјаиизлезеннапонседостапни。gydF4y2Ba
3,Динамичнитеперформансисенајдобрикогапримарнатадупкаецелосноисполнетасо;gydF4y2Ba
4、Примарниот проводник т еба да биде <100°c;gydF4y2Ba
ПравоаголентипЕлектричниподатоци:(Ta = 25°C; Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba
ПараметарgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
ЕдиницаgydF4y2Ba |
|
ОценетвлезgydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
600gydF4y2Ba |
800gydF4y2Ba |
1000gydF4y2Ba |
1200gydF4y2Ba |
2000年годинаgydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
МеренопсегgydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
0,±200gydF4y2Ba |
0,±600gydF4y2Ba |
0、±800gydF4y2Ba |
0 ~±1000gydF4y2Ba |
0、±1200gydF4y2Ba |
0 ~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
Отпорност на оптова а а еgydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
Напон на напо по с аgydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
ТочностgydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
%gydF4y2Ba |
||||
ОфсетнапонgydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
Температурна и а а и и а а а voegydF4y2Ba | ГЛАСАЊЕgydF4y2Ba |
@ip =0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
Хистерезис оф - сет на апонgydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@ip =0, по 1* ipngydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
Грешка во о линеа ностаgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
Време на од о о орgydF4y2Ba | траgydF4y2Ba |
@90% од ipngydF4y2Ba | < 7.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
||||
Потрошувачка на енер р и с аgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
ПропусенопсегgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
Напон на изолаgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz 1мин。、交流gydF4y2Ba | 6.0gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
Општиподатоци:gydF4y2Ba
参数ПараметарgydF4y2Ba | 符号СимболgydF4y2Ba |
数值ВредностgydF4y2Ba |
单位ЕдиницаgydF4y2Ba |
РаботнатемператураgydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
Температура на ск кладираgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
ТежинаgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
ПластиченматеријалgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
СтандардиgydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
(Димензиимм):gydF4y2Ba
Забелешки:gydF4y2Ba
1,когаќесемериструјатапоминуванизпримарниотпиннасензорот,напонотќебидеgydF4y2Ba
Мерено на из злезнио о к с а。(Забелешка:Лажнитежициможедарезултираатсооштетувањенасензорот)。gydF4y2Ba
2,Прилагодендизајнворазличнаноминалнавлезнаструјаиизлезеннапонседостапни。gydF4y2Ba
3,динамичнитеперформансисенајдобрикогапримарнатадупкаецелосноисполнетасо;gydF4y2Ba
4、Примарниот проводник т еба да биде <100°c;gydF4y2Ba