उत्पादनकोनामgydF4y2Ba | हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba |
P / NgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
प्राथमिक मूल्याङ्कन गरिएको वर्तमानgydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba | एकल पावर 2.5±2vgydF4y2Ba |
दोहोरोशक्तिgydF4y2Ba | डुअल पावर候选人±४vgydF4y2Ba |
इन्सुलेशन भोल्टेज सामनाgydF4y2Ba | 3 kv / 1मिनेटgydF4y2Ba |
सञ्चालनआवृत्तिgydF4y2Ba | ५०——६०हर्ट्जgydF4y2Ba |
सञ्चालनतापमानgydF4y2Ba | -40℃~ +85℃gydF4y2Ba |
इन्सुलेशनgydF4y2Ba | 环氧树脂राल封装gydF4y2Ba |
बाहिरीकेसgydF4y2Ba | ज्वाला阻燃PBTgydF4y2Ba |
一个gydF4y2BaआवेदनgydF4y2Ba | चरआवृत्तिविद्युतीयउपकरणहरू,इन्भर्टर,AC / DCचर——स्पीडड्राइभgydF4y2Ba स्विचमोडपावरसप्लाई(smp),不间断电源(UPS)、gydF4y2Ba |
सजिलोस्थापनाgydF4y2Ba
विन्डोसंरचनाgydF4y2Ba
कम शक्ति खपत, धेरै राम्रो线性度gydF4y2Ba
फराकिलोहालकोमूल्याङ्कनदायराकोलागिमात्रएउटाडिजाइनgydF4y2Ba
बाह्य हस्तक्षेपको लागि उच्च प्रतिरक्षाgydF4y2Ba
कुनै सम्मिलन घाटा छैनgydF4y2Ba
दोहोरो पावर हल वर्तमान सेन्सरgydF4y2Ba
विद्युतीय डेटा (Ta=25℃±5℃)gydF4y2Ba
मूल्याङ्कन गरिएको इनपुटgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | २०/५०/१००gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
मापनदायराgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±३०/±७५/±१५०gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
लोडप्रतिरोधgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | >१०gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
आपूर्तिभोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
शुद्धताgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @IPN, T = 25°C <±1.0gydF4y2Ba | %gydF4y2Ba |
अफसेटभोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
V को तापमान भिन्नताgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0,-40 ~ +85℃<±1.0℃/gydF4y2Ba <±0.5/<±0.5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
V को तापमान भिन्नताgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn,-40 ~ +85℃<±2.5℃gydF4y2Ba | %gydF4y2Ba |
हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @ip = 0,1 * ipn <±25 पछिgydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
रेखीयतात्रुटिgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba | < 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
di / dtgydF4y2Ba | >१००gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
प्रतिक्रियासमयgydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba | @ 90% ipn < 5.0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
शक्तिखपतgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
@-15V < 4.5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
ब्यान्डविथgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN DC-20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
इन्सुलेशनभोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60Hz, 1分钟,交流,1.5mA 4.0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
घण्टीप्रकारविद्युतीयडेटा:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ))gydF4y2Ba
प्यारामिटरgydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
एकाइgydF4y2Ba |
|
मूल्याङ्कन गरिएको इनपुटgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
१००gydF4y2Ba |
२००gydF4y2Ba |
३००gydF4y2Ba |
४००gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
मापनदायराgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
०~±५०gydF4y2Ba |
०~±100gydF4y2Ba |
०~±200gydF4y2Ba |
०~±300gydF4y2Ba |
०~±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | २。५००gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
लोडप्रतिरोधgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
>२gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
आपूर्तिभोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+१२。०±५%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
शुद्धताgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±१०gydF4y2Ba |
%gydF4y2Ba |
|||
अफसेटभोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
V को तापमान भिन्नताgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0,-40 ~ +85℃gydF4y2Ba | <±१०gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेजgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@ip = 0,1 * ipn पछिgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
रेखीयतात्रुटिgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
di / dtgydF4y2Ba | >१००gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
प्रतिक्रियासमयgydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@ 90% ipngydF4y2Ba | < 3.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
|||
शक्तिखपतgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
ब्यान्डविथgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
इन्सुलेशनभोल्टेजgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1 मिनेट, ACgydF4y2Ba | २५。gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
सामान्यडाटा:gydF4y2Ba
【中文译文】प्यारामिटरgydF4y2Ba | 中文:प्रतीकgydF4y2Ba |
* * * मानgydF4y2Ba |
http://http://एकाइgydF4y2Ba |
सञ्चालनतापमानgydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-४० ~ +८५gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
भण्डारणतापमानgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
——५५~ +१२५gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
वजनgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
प्लास्टिकसामाग्रीgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
मानकहरूgydF4y2Ba | IEC60950-1: 2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
आयाम(मिमी):gydF4y2Ba
टिप्पणीहरू:gydF4y2Ba
1,जबवर्तमानमापनगरिनेछएकसेन्सरकोप्राथमिकपिनमार्फतजान्छ,भोल्टेजआउटपुटअन्तमामापनगरिनेछ।(नोट:गलततारलेसेन्सरलाईक्षतिपुर्याउनसक्छ)।gydF4y2Ba
2,विभिन्नमूल्याङ्कनइनपुटवर्तमानरआउटपुटभोल्टेजमाअनुकूलनडिजाइनउपलब्धछन्।gydF4y2Ba
3,यदिप्राथमिकप्वालपूर्णरूपमाभरिएकोछभनेगतिशीलप्रदर्शनउत्तमहुन्छ;gydF4y2Ba
4,प्राथमिककन्डक्टर< 100डिग्रीसेल्सियसहुनुपर्छ;gydF4y2Ba
आयताकारप्रकारविद्युतीयडेटा:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ))gydF4y2Ba
प्यारामिटरgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
एकाइgydF4y2Ba |
|
मूल्याङ्कन गरिएको इनपुटgydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
२००gydF4y2Ba |
६००gydF4y2Ba |
८००gydF4y2Ba |
१०००gydF4y2Ba |
१२००gydF4y2Ba |
२०००gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
मापनदायराgydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
०~±200gydF4y2Ba |
०~±600gydF4y2Ba |
०~±800gydF4y2Ba |
०~±1000gydF4y2Ba |
०~±1200gydF4y2Ba |
०~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | २。५००gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
लोडप्रतिरोधgydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
>२gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
आपूर्तिभोल्टेजgydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+१२。०±५%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
शुद्धताgydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±१०gydF4y2Ba |
%gydF4y2Ba |
||||
अफसेटभोल्टेजgydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
Voe को तापमान भिन्नताgydF4y2Ba | भोटgydF4y2Ba |
@ip =0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±१०gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेजgydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@ip = 0,1 * ipn पछिgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
रेखीयतात्रुटिgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
di / dtgydF4y2Ba | >१००gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
प्रतिक्रियासमयgydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@ 90% ipngydF4y2Ba | < 7.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
||||
शक्तिखपतgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
ब्यान्डविथgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
इन्सुलेशनभोल्टेजgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1 मिनेट, ACgydF4y2Ba | ६०。gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
सामान्यडाटा:gydF4y2Ba
【中文译文】प्यारामिटरgydF4y2Ba | 中文:प्रतीकgydF4y2Ba |
* * * मानgydF4y2Ba |
http://http://एकाइgydF4y2Ba |
सञ्चालनतापमानgydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-४० ~ +८५gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
भण्डारणतापमानgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
——५५~ +१२५gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
वजनgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
२००gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
प्लास्टिकसामाग्रीgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
मानकहरूgydF4y2Ba | IEC60950-1: 2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
आयाम(मिमी):gydF4y2Ba
टिप्पणीहरू:gydF4y2Ba
1,जबवर्तमानमापनगरिनेछसेन्सरकोप्राथमिकपिनमार्फतजान्छ,भोल्टेजहुनेछgydF4y2Ba
आउटपुट अन्त्यमा मापन गरिएको।(नोट: गलत तारले सेन्सरलाई क्षति पुर्याउन सक्छ)gydF4y2Ba
२,विभिन्नमूल्याङ्कनगरिएकोइनपुटवर्तमानरआउटपुटभोल्टेजमाअनुकूलनडिजाइनउपलब्धछन्।gydF4y2Ba
3,यदिप्राथमिकप्वालपूर्णरूपमाभरिएकोछभनेगतिशीलप्रदर्शनउत्तमहुन्छ;gydF4y2Ba
4,प्राथमिककन्डक्टर< 100डिग्रीसेल्सियसहुनुपर्छ;gydF4y2Ba