英语gydF4y2Ba
  • nybannergydF4y2Ba
हलप्रभाववर्तमानसेन्सरस्प्लिटकोरट्रान्सड्यूसरचित्रितछविgydF4y2Ba
  • हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba
  • हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba
  • हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba
  • हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba
  • हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba
  • हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba

हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba

P / N: mlrh - 2147gydF4y2Ba


अर्कोउत्पादनgydF4y2Ba

उत्पादनविवरणgydF4y2Ba

उत्पादनट्यागहरूgydF4y2Ba

विवरणgydF4y2Ba

उत्पादनकोनामgydF4y2Ba हल प्रभाव वर्तमान सेन्सर विभाजन कोर ट्रान्सड्यूसरgydF4y2Ba
P / NgydF4y2Ba mlrh - 2147gydF4y2Ba
प्राथमिक मूल्याङ्कन गरिएको वर्तमानgydF4y2Ba 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba एकल पावर 2.5±2vgydF4y2Ba
दोहोरोशक्तिgydF4y2Ba डुअल पावर候选人±४vgydF4y2Ba
इन्सुलेशन भोल्टेज सामनाgydF4y2Ba 3 kv / 1मिनेटgydF4y2Ba
सञ्चालनआवृत्तिgydF4y2Ba ५०——६०हर्ट्जgydF4y2Ba
सञ्चालनतापमानgydF4y2Ba -40℃~ +85℃gydF4y2Ba
इन्सुलेशनgydF4y2Ba 环氧树脂राल封装gydF4y2Ba
बाहिरीकेसgydF4y2Ba ज्वाला阻燃PBTgydF4y2Ba
一个gydF4y2BaआवेदनgydF4y2Ba चरआवृत्तिविद्युतीयउपकरणहरू,इन्भर्टर,AC / DCचर——स्पीडड्राइभgydF4y2Ba

स्विचमोडपावरसप्लाई(smp),不间断电源(UPS)、gydF4y2Ba

विशेषताहरुgydF4y2Ba

सजिलोस्थापनाgydF4y2Ba

विन्डोसंरचनाgydF4y2Ba

कम शक्ति खपत， धेरै राम्रो线性度gydF4y2Ba

फराकिलोहालकोमूल्याङ्कनदायराकोलागिमात्रएउटाडिजाइनgydF4y2Ba

बाह्य हस्तक्षेपको लागि उच्च प्रतिरक्षाgydF4y2Ba

कुनै सम्मिलन घाटा छैनgydF4y2Ba

दोहोरो पावर हल वर्तमान सेन्सरgydF4y2Ba

विद्युतीय डेटा (Ta=25℃±5℃)gydF4y2Ba

मूल्याङ्कन गरिएको इनपुटgydF4y2Ba 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba २०/५०/१००gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba
मापनदायराgydF4y2Ba 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba ±३०/±७५/±१५०gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba VgydF4y2BaogydF4y2Ba ±4.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba VgydF4y2Ba
लोडप्रतिरोधgydF4y2Ba RgydF4y2BalgydF4y2Ba >१०gydF4y2Ba KΩgydF4y2Ba
आपूर्तिभोल्टेजgydF4y2Ba VgydF4y2BaCgydF4y2Ba (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba VgydF4y2Ba
शुद्धताgydF4y2Ba XgydF4y2BaGgydF4y2Ba @IPN, T = 25°C <±1.0gydF4y2Ba ％gydF4y2Ba
अफसेटभोल्टेजgydF4y2Ba VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba @IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba mVgydF4y2Ba
V को तापमान भिन्नताgydF4y2BaOEgydF4y2Ba VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba @ip =0，-40 ~ +85℃<±1.0℃/gydF4y2Ba

<±0.5/<±0.5gydF4y2Ba

 mV /℃gydF4y2Ba
V को तापमान भिन्नताgydF4y2BaOgydF4y2Ba VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba @ip = ipn，-40 ~ +85℃<±2.5℃gydF4y2Ba ％gydF4y2Ba
हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेजgydF4y2Ba VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba @ip = 0,1 * ipn <±25 पछिgydF4y2Ba mVgydF4y2Ba
रेखीयतात्रुटिgydF4y2Ba εrgydF4y2Ba < 1.0gydF4y2Ba % FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba >१००gydF4y2Ba 一个/μsgydF4y2Ba
प्रतिक्रियासमयgydF4y2Ba 交易gydF4y2Ba @ 90% ipn < 5.0gydF4y2Ba μsgydF4y2Ba
शक्तिखपतgydF4y2Ba 集成电路gydF4y2Ba @ + 15 v < 23gydF4y2Ba 妈gydF4y2Ba
@-15V < 4.5gydF4y2Ba 妈gydF4y2Ba
ब्यान्डविथgydF4y2Ba BWgydF4y2Ba @-3dB, IPN DC-20gydF4y2Ba 千赫gydF4y2Ba
इन्सुलेशनभोल्टेजgydF4y2Ba VgydF4y2BadgydF4y2Ba @50/60Hz, 1分钟，交流，1.5mA 4.0gydF4y2Ba KVgydF4y2Ba

१gydF4y2Ba
२gydF4y2Ba
३gydF4y2Ba
१gydF4y2Ba
४gydF4y2Ba
५gydF4y2Ba
६gydF4y2Ba
२gydF4y2Ba

घण्टीप्रकारविद्युतीयडेटा:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ))gydF4y2Ba

प्यारामिटरgydF4y2Ba

MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba

mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba

एकाइgydF4y2Ba
मूल्याङ्कन गरिएको इनपुटgydF4y2Ba

我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba

50gydF4y2Ba

१००gydF4y2Ba

२००gydF4y2Ba

३००gydF4y2Ba

४००gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba
मापनदायराgydF4y2Ba

我gydF4y2BaPgydF4y2Ba

०~±५०gydF4y2Ba

०~±100gydF4y2Ba

०~±200gydF4y2Ba

०~±300gydF4y2Ba

०~±400gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

 @IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

२。५००gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba
लोडप्रतिरोधgydF4y2Ba

RgydF4y2BalgydF4y2Ba

>२gydF4y2Ba

KΩgydF4y2Ba
आपूर्तिभोल्टेजgydF4y2Ba

VgydF4y2BaCgydF4y2Ba

+१२。०±५%gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba
शुद्धताgydF4y2Ba

XgydF4y2BaGgydF4y2Ba

 @IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba

<±१०gydF4y2Ba

％gydF4y2Ba
अफसेटभोल्टेजgydF4y2Ba

VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba

 @IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba

<±25gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba
V को तापमान भिन्नताgydF4y2BaOEgydF4y2Ba

VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba

 @IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85℃gydF4y2Ba

<±१०gydF4y2Ba

mV /℃gydF4y2Ba
हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेजgydF4y2Ba

VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba

 @ip = 0,1 * ipn पछिgydF4y2Ba

<±20gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba
रेखीयतात्रुटिgydF4y2Ba

εrgydF4y2Ba

 < 1.0gydF4y2Ba

% FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba

>१००gydF4y2Ba

A /µ年代gydF4y2Ba
प्रतिक्रियासमयgydF4y2Ba

交易gydF4y2Ba

 @ 90% ipngydF4y2Ba < 3.0gydF4y2Ba

µ年代gydF4y2Ba
शक्तिखपतgydF4y2Ba

我gydF4y2BaCgydF4y2Ba

15gydF4y2Ba

妈gydF4y2Ba
ब्यान्डविथgydF4y2Ba

BWgydF4y2Ba

 @-3dB,互gydF4y2Ba

dc = 20gydF4y2Ba

千赫gydF4y2Ba
इन्सुलेशनभोल्टेजgydF4y2Ba

VdgydF4y2Ba

 @50/60Hz, 1 मिनेट， ACgydF4y2Ba

२५。gydF4y2Ba

KVgydF4y2Ba

सामान्यडाटा:gydF4y2Ba

【中文译文】प्यारामिटरgydF4y2Ba

中文:प्रतीकgydF4y2Ba

* * * मानgydF4y2Ba

http://http://एकाइgydF4y2Ba
सञ्चालनतापमानgydF4y2Ba

TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba

-४० ~ +८५gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba
भण्डारणतापमानgydF4y2Ba

TsgydF4y2Ba

——५५~ +१२५gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba
वजनgydF4y2Ba

米gydF4y2Ba

70gydF4y2Ba

ggydF4y2Ba
प्लास्टिकसामाग्रीgydF4y2Ba

PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
मानकहरूgydF4y2Ba

IEC60950-1: 2001gydF4y2Ba

EN50178:1998gydF4y2Ba

sj20790 - 2000gydF4y2Ba

आयाम(मिमी):gydF4y2Ba

२२२gydF4y2Ba

टिप्पणीहरू:gydF4y2Ba

1,जबवर्तमानमापनगरिनेछएकसेन्सरकोप्राथमिकपिनमार्फतजान्छ,भोल्टेजआउटपुटअन्तमामापनगरिनेछ।(नोट:गलततारलेसेन्सरलाईक्षतिपुर्याउनसक्छ)।gydF4y2Ba

2,विभिन्नमूल्याङ्कनइनपुटवर्तमानरआउटपुटभोल्टेजमाअनुकूलनडिजाइनउपलब्धछन्।gydF4y2Ba

3,यदिप्राथमिकप्वालपूर्णरूपमाभरिएकोछभनेगतिशीलप्रदर्शनउत्तमहुन्छ;gydF4y2Ba

4,प्राथमिककन्डक्टर< 100डिग्रीसेल्सियसहुनुपर्छ;gydF4y2Ba

८gydF4y2Ba

आयताकारप्रकारविद्युतीयडेटा:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ))gydF4y2Ba

प्यारामिटरgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba

एकाइgydF4y2Ba
मूल्याङ्कन गरिएको इनपुटgydF4y2Ba

互gydF4y2Ba

२००gydF4y2Ba

६००gydF4y2Ba

८००gydF4y2Ba

१०००gydF4y2Ba

१२००gydF4y2Ba

२०००gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba
मापनदायराgydF4y2Ba

知识产权gydF4y2Ba

०~±200gydF4y2Ba

०~±600gydF4y2Ba

०~±800gydF4y2Ba

०~±1000gydF4y2Ba

०~±1200gydF4y2Ba

०~±2000gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba
आउटपुटभोल्टेजgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

 @IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

२。५००gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba
लोडप्रतिरोधgydF4y2Ba

RLgydF4y2Ba

>२gydF4y2Ba

KΩgydF4y2Ba
आपूर्तिभोल्टेजgydF4y2Ba

风投gydF4y2Ba

+१२。०±५%gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba
शुद्धताgydF4y2Ba

XGgydF4y2Ba

 @IPN, T = 25°CgydF4y2Ba

<±१०gydF4y2Ba

％gydF4y2Ba
अफसेटभोल्टेजgydF4y2Ba

小海湾gydF4y2Ba

 @IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

<±25gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba
Voe को तापमान भिन्नताgydF4y2Ba

भोटgydF4y2Ba

 @ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba

<±१०gydF4y2Ba

mV /℃gydF4y2Ba
हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेजgydF4y2Ba

VOHgydF4y2Ba

 @ip = 0,1 * ipn पछिgydF4y2Ba

<±20gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba
रेखीयतात्रुटिgydF4y2Ba

εrgydF4y2Ba

 < 1.0gydF4y2Ba

% FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba

>१००gydF4y2Ba

A /µ年代gydF4y2Ba
प्रतिक्रियासमयgydF4y2Ba

交易gydF4y2Ba

 @ 90% ipngydF4y2Ba < 7.0gydF4y2Ba

µ年代gydF4y2Ba
शक्तिखपतgydF4y2Ba

集成电路gydF4y2Ba

15gydF4y2Ba

妈gydF4y2Ba
ब्यान्डविथgydF4y2Ba

BWgydF4y2Ba

 @-3dB,互gydF4y2Ba

dc = 20gydF4y2Ba

千赫gydF4y2Ba
इन्सुलेशनभोल्टेजgydF4y2Ba

VdgydF4y2Ba

 @50/60Hz, 1 मिनेट， ACgydF4y2Ba

६०。gydF4y2Ba

KVgydF4y2Ba

सामान्यडाटा:gydF4y2Ba

【中文译文】प्यारामिटरgydF4y2Ba

中文:प्रतीकgydF4y2Ba

* * * मानgydF4y2Ba

http://http://एकाइgydF4y2Ba
सञ्चालनतापमानgydF4y2Ba

助教gydF4y2Ba

-४० ~ +८५gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba
भण्डारणतापमानgydF4y2Ba

TsgydF4y2Ba

——५५~ +१२५gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba
वजनgydF4y2Ba

米gydF4y2Ba

२००gydF4y2Ba

ggydF4y2Ba
प्लास्टिकसामाग्रीgydF4y2Ba

PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
मानकहरूgydF4y2Ba

IEC60950-1: 2001gydF4y2Ba

EN50178:1998gydF4y2Ba

sj20790 - 2000gydF4y2Ba

आयाम(मिमी):gydF4y2Ba

१११gydF4y2Ba

टिप्पणीहरू:gydF4y2Ba

1,जबवर्तमानमापनगरिनेछसेन्सरकोप्राथमिकपिनमार्फतजान्छ,भोल्टेजहुनेछgydF4y2Ba

आउटपुट अन्त्यमा मापन गरिएको।(नोट: गलत तारले सेन्सरलाई क्षति पुर्याउन सक्छ)gydF4y2Ba

२,विभिन्नमूल्याङ्कनगरिएकोइनपुटवर्तमानरआउटपुटभोल्टेजमाअनुकूलनडिजाइनउपलब्धछन्।gydF4y2Ba

3,यदिप्राथमिकप्वालपूर्णरूपमाभरिएकोछभनेगतिशीलप्रदर्शनउत्तमहुन्छ;gydF4y2Ba

4,प्राथमिककन्डक्टर< 100डिग्रीसेल्सियसहुनुपर्छ;gydF4y2Ba

१०gydF4y2Ba
  • अघिल्लो:gydF4y2Ba
  • अर्को:gydF4y2Ba
    • यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् हामीलाई पठाउनुहोस्gydF4y2Ba

    तपाईलाई पनि मन पर्न सक्छgydF4y2Ba

    Baidu
    map