• nybannergydF4y2Ba
传感器de Corrente de Efeito霍尔传感器de Núcleo Dividido Imagem em DestaquegydF4y2Ba
  • 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba
  • 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba
  • 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba
  • 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba
  • 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba
  • 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba

传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba

P / N: mlrh - 2147gydF4y2Ba


亡灵做产品gydF4y2Ba

产品礼仪gydF4y2Ba

DescricaogydF4y2Ba

Nome do ProdutogydF4y2Ba 传感器de núcleo dividido传感器de corrente de efeito霍尔gydF4y2Ba
P / NgydF4y2Ba mlrh - 2147gydF4y2Ba
Corrente名义primáriagydF4y2Ba 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba
电压saídagydF4y2Ba Potência Única 2,5±2VgydF4y2Ba
Potencia duplagydF4y2Ba Potência双波0±4VgydF4y2Ba
Tensão suportável隔离gydF4y2Ba 3 kv / 1分钟gydF4y2Ba
Frequência de operaçãogydF4y2Ba 50-60HzgydF4y2Ba
温度operaçãogydF4y2Ba -40℃~ +85℃gydF4y2Ba
IsolamentogydF4y2Ba 树脂epóxi封装gydF4y2Ba
储备银行外gydF4y2Ba PBT迟滞gydF4y2Ba
一个gydF4y2BaaplicacaogydF4y2Ba Aparelhos elétricos de frequência variável,逆变器,高速变换器variável AC/DCgydF4y2Ba

Fontes de alimentação de modo comutado (SMPS), Fontes de alimentação ininterrupruptas (UPS),gydF4y2Ba

CaracteristicasgydF4y2Ba

Instalacao facilgydF4y2Ba

发情gydF4y2Ba

百索消耗能量,线性的muito boagydF4y2Ba

Apenas um projeto para ampla faxa de correntes nominaisgydF4y2Ba

Alta imunidade a interferências externasgydF4y2Ba

Sem perdas de inserçãogydF4y2Ba

传感器德科伦特双动力大厅gydF4y2Ba

Dados elétricos (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba

Entrada classificadagydF4y2Ba 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba 20/50/100gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba
Faixa de mediçãogydF4y2Ba 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba ±30 /±75±150gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba
电压saídagydF4y2Ba VgydF4y2BaogydF4y2Ba ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba VgydF4y2Ba
Resistência de cargagydF4y2Ba RgydF4y2BalgydF4y2Ba >10gydF4y2Ba KΩgydF4y2Ba
Tensão de alimentaçãogydF4y2Ba VgydF4y2BaCgydF4y2Ba (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba VgydF4y2Ba
PrecisaogydF4y2Ba XgydF4y2BaGgydF4y2Ba @ipn, t =25°c <±1,0gydF4y2Ba %gydF4y2Ba
Tensão de offsetgydF4y2Ba VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba @ip =0, t =25°c <±25gydF4y2Ba mVgydF4y2Ba
Variação温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba @ip =0,-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba

<±0,5/<±0,5gydF4y2Ba

mV /℃gydF4y2Ba
Variação温度VgydF4y2BaOgydF4y2Ba VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba @ip = ipn,-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba %gydF4y2Ba
Tensão de compensação de histeresegydF4y2Ba VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba @IP=0, após 1*IPN <±25gydF4y2Ba mVgydF4y2Ba
线性误差gydF4y2Ba εrgydF4y2Ba < 1 0gydF4y2Ba % FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba > 100gydF4y2Ba 一个/μsgydF4y2Ba
节奏gydF4y2Ba 交易gydF4y2Ba @90% do IPN < 5,0gydF4y2Ba μsgydF4y2Ba
精力消耗gydF4y2Ba 集成电路gydF4y2Ba @ + 15 v < 23gydF4y2Ba 妈gydF4y2Ba
@-15V < 4、5gydF4y2Ba 妈gydF4y2Ba
大鳞叶松gydF4y2Ba BWgydF4y2Ba @-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba 千赫gydF4y2Ba
Tensão隔离gydF4y2Ba VgydF4y2BadgydF4y2Ba @50/60Hz, 1min,AC, 1.5 ma 4,0gydF4y2Ba KVgydF4y2Ba

1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
3.gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba

Tipo de anel Dados elétricos:(Ta=25°C,Vc=+ 12,0vdc,RL=2KΩ)gydF4y2Ba

ParametrogydF4y2Ba

MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba

mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba

UnidadegydF4y2Ba

Entrada classificadagydF4y2Ba

我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba

50gydF4y2Ba

One hundred.gydF4y2Ba

200gydF4y2Ba

300gydF4y2Ba

400gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

Faixa de mediçãogydF4y2Ba

我gydF4y2BaPgydF4y2Ba

0 ~±50gydF4y2Ba

0 ~±100gydF4y2Ba

0 ~±200gydF4y2Ba

0 ~±300gydF4y2Ba

0 ~±400gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

电压saídagydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

2500±2 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

电压saídagydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

2.500gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

Resistência de cargagydF4y2Ba

RgydF4y2BalgydF4y2Ba

> 2gydF4y2Ba

KΩgydF4y2Ba

Tensão de alimentaçãogydF4y2Ba

VgydF4y2BaCgydF4y2Ba

+12,0±5%gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

PrecisaogydF4y2Ba

XgydF4y2BaGgydF4y2Ba

@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

%gydF4y2Ba

Tensão de offsetgydF4y2Ba

VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba

@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba

<±25gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

Variação温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba

VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba

@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

mV /℃gydF4y2Ba

Tensão de compensação de histeresegydF4y2Ba

VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba

@IP=0, após 1*IPNgydF4y2Ba

<±20gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

线性误差gydF4y2Ba

εrgydF4y2Ba

< 1 0gydF4y2Ba

% FSgydF4y2Ba

di / dtgydF4y2Ba

> 100gydF4y2Ba

A /µ年代gydF4y2Ba

节奏gydF4y2Ba

交易gydF4y2Ba

@90%做IPNgydF4y2Ba < 3,0gydF4y2Ba

µ年代gydF4y2Ba

精力消耗gydF4y2Ba

我gydF4y2BaCgydF4y2Ba

15gydF4y2Ba

妈gydF4y2Ba

大鳞叶松gydF4y2Ba

BWgydF4y2Ba

@-3dB,互gydF4y2Ba

dc = 20gydF4y2Ba

千赫gydF4y2Ba

Tensão隔离gydF4y2Ba

VdgydF4y2Ba

1分钟,@50/60Hz ACgydF4y2Ba

2、5gydF4y2Ba

KVgydF4y2Ba

不同斯吉拉斯:gydF4y2Ba

ParametrogydF4y2Ba

SimbologydF4y2Ba

英勇gydF4y2Ba

UnidadegydF4y2Ba

温度operaçãogydF4y2Ba

TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba

-40 ~ +85gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

armazenamento温度gydF4y2Ba

TsgydF4y2Ba

-55 ~ + 125gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

比索gydF4y2Ba

米gydF4y2Ba

70gydF4y2Ba

ggydF4y2Ba

材料plasticogydF4y2Ba

PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba

PadroesgydF4y2Ba

IEC60950-1:2001gydF4y2Ba

EN50178:1998gydF4y2Ba

sj20790 - 2000gydF4y2Ba

Dimensoes(毫米):gydF4y2Ba

222gydF4y2Ba

Observacoes:gydF4y2Ba

1、quando a corrente será medida passa pelo pino primário de um sensor, a tensão será medida na extremidade de saída。(注意:一个fiação falsa pode resultar em danos ao传感器)。gydF4y2Ba

2、设计个性化不同的correntes de entrada e tensão de saída estão disponíveis。gydF4y2Ba

3, o desempenho dinâmico é o melhor quando o orifício primário é totalmente preenchido;gydF4y2Ba

4、o导体primário deve ser <100°C;gydF4y2Ba

8gydF4y2Ba

Dados elétricos tipo矩形:(Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)gydF4y2Ba

ParametrogydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba

UnidadegydF4y2Ba

Entrada classificadagydF4y2Ba

互gydF4y2Ba

200gydF4y2Ba

600gydF4y2Ba

800gydF4y2Ba

1000gydF4y2Ba

1200gydF4y2Ba

2000gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

Faixa de mediçãogydF4y2Ba

知识产权gydF4y2Ba

0 ~±200gydF4y2Ba

0 ~±600gydF4y2Ba

0 ~±800gydF4y2Ba

0 ~±1000gydF4y2Ba

0 ~±1200gydF4y2Ba

0 ~±2000gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

电压saídagydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

电压saídagydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

2.500gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

Resistência de cargagydF4y2Ba

RLgydF4y2Ba

> 2gydF4y2Ba

KΩgydF4y2Ba

Tensão de alimentaçãogydF4y2Ba

风投gydF4y2Ba

+ 12 0±5%gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

PrecisaogydF4y2Ba

XGgydF4y2Ba

@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

%gydF4y2Ba

Tensão de offsetgydF4y2Ba

小海湾gydF4y2Ba

@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

<±25gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

Variação de温度VOEgydF4y2Ba

嗓音起始时间gydF4y2Ba

@ip =0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

mV /℃gydF4y2Ba

Tensão de compensação de histeresegydF4y2Ba

VOHgydF4y2Ba

@IP=0, após 1*IPNgydF4y2Ba

<±20gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

线性误差gydF4y2Ba

εrgydF4y2Ba

< 1 0gydF4y2Ba

% FSgydF4y2Ba

di / dtgydF4y2Ba

> 100gydF4y2Ba

A /µ年代gydF4y2Ba

节奏gydF4y2Ba

交易gydF4y2Ba

@90%做IPNgydF4y2Ba < 7日0gydF4y2Ba

µ年代gydF4y2Ba

精力消耗gydF4y2Ba

集成电路gydF4y2Ba

15gydF4y2Ba

妈gydF4y2Ba

大鳞叶松gydF4y2Ba

BWgydF4y2Ba

@-3dB,互gydF4y2Ba

dc = 20gydF4y2Ba

千赫gydF4y2Ba

Tensão隔离gydF4y2Ba

VdgydF4y2Ba

1分钟,@50/60Hz ACgydF4y2Ba

6日0gydF4y2Ba

KVgydF4y2Ba

不同斯吉拉斯:gydF4y2Ba

ParametrogydF4y2Ba

SimbologydF4y2Ba

英勇gydF4y2Ba

UnidadegydF4y2Ba

温度operaçãogydF4y2Ba

助教gydF4y2Ba

-40 ~ +85gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

armazenamento温度gydF4y2Ba

TsgydF4y2Ba

-55 ~ + 125gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

比索gydF4y2Ba

米gydF4y2Ba

200gydF4y2Ba

ggydF4y2Ba

材料plasticogydF4y2Ba

PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba

PadroesgydF4y2Ba

IEC60950-1:2001gydF4y2Ba

EN50178:1998gydF4y2Ba

sj20790 - 2000gydF4y2Ba

Dimensoes(毫米):gydF4y2Ba

111gydF4y2Ba

Observacoes:gydF4y2Ba

1、quando a corrente será medida passa pelo pino primário de um sensor, a tensão serágydF4y2Ba

Medido na extremidade de saída。(注意:一个fiação falsa pode resultar em danos ao传感器)。gydF4y2Ba

2、设计个性化不同的correntes de entrada e tensão de saída estão disponíveis。gydF4y2Ba

3、o desempenho dinâmico é o melhor quando o furo principal se enche complete;gydF4y2Ba

4、o导体primário deve ser <100°C;gydF4y2Ba

10gydF4y2Ba

  • 前:gydF4y2Ba
  • 下月的:gydF4y2Ba

  • 祝你快乐nósgydF4y2Ba
    Baidu
    map