• nybannergydF4y2Ba
Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач з розділеним се де ени ком。ПредставленезображенняgydF4y2Ba
  • Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba
  • Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba
  • Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba
  • Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba
  • Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba
  • Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba

Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba

P / N: mlrh - 2147gydF4y2Ba


ДеталіпродуктуgydF4y2Ba

ТегитоварівgydF4y2Ba

описgydF4y2Ba

НазвапродуктуgydF4y2Ba Датчик с с с с с с с с с с с с Холла。Перетворювач із розділеним се де ени комgydF4y2Ba
P / NgydF4y2Ba mlrh - 2147gydF4y2Ba
Первинний номінальний ст с мgydF4y2Ba А20/50/100/200А/ 300А/ 400gydF4y2Ba
ВихіднанапругаgydF4y2Ba Одне живлення 2,5±2ВgydF4y2Ba
ПодвійнеживленняgydF4y2Ba Подвійне живлення 0±4ВgydF4y2Ba
Ізоляція витримує на ап п у уgydF4y2Ba 3 кВ/1 хвgydF4y2Ba
РобочачастотаgydF4y2Ba 50 - 60ГцgydF4y2Ba
РобочатемператураgydF4y2Ba -40℃~ +85℃gydF4y2Ba
ІзоляціяgydF4y2Ba Інкапсульований епоксидно о смолоgydF4y2Ba
ЗовнішнійкорпусgydF4y2Ba ВогнестійкийPBTgydF4y2Ba
一个gydF4y2BaдодатокgydF4y2Ba Електричніприладиіззмінноючастотою,інвертор,приводзмінноїшвидкостізмінного/постійногострумуgydF4y2Ba

Імпульсніджерелаживлення(smp),джерелабезперебійногоживлення(UPS),gydF4y2Ba

особливостіgydF4y2Ba

ЛегкиймонтажgydF4y2Ba

ВіконнаконструкціяgydF4y2Ba

Низьке енергоспоживання, дуже хороша лінійністьgydF4y2Ba

ЛишеоднаконструкціядляширокогодіапазонуноміналівструмуgydF4y2Ba

Висока стійкість до о зовнішніх пере ок одgydF4y2Ba

Відсутність в а несени у вт а аgydF4y2Ba

Подвійний датчик ст т м му Power HallgydF4y2Ba

Електричні дан (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba

НомінальнапотужністьgydF4y2Ba 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba 20/50/100gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba
ДіапазонвимірюванняgydF4y2Ba 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba ±30 /±75±150gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba
ВихіднанапругаgydF4y2Ba VgydF4y2BaogydF4y2Ba ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba VgydF4y2Ba
ОпірнавантаженьgydF4y2Ba RgydF4y2BalgydF4y2Ba > 10gydF4y2Ba кОмgydF4y2Ba
НапругаживленняgydF4y2Ba VgydF4y2BaCgydF4y2Ba (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba VgydF4y2Ba
ТочністьgydF4y2Ba XgydF4y2BaGgydF4y2Ba @ipn, t =25°c <±1,0gydF4y2Ba %gydF4y2Ba
НапругазсувуgydF4y2Ba VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba @ip =0, t =25°c <±25gydF4y2Ba mVgydF4y2Ba
Зміна температ т т vgydF4y2BaOEgydF4y2Ba VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba @ip =0,-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba

<±0,5/<±0,5gydF4y2Ba

мВ/℃gydF4y2Ba
Зміна температ т т vgydF4y2BaOgydF4y2Ba VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba @ip = ipn, -40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba %gydF4y2Ba
Напруга зміщення гістерезисуgydF4y2Ba VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba @ip =0, після 1* ipn <±25gydF4y2Ba mVgydF4y2Ba
ПомилкалінійностіgydF4y2Ba εrgydF4y2Ba < 1 0gydF4y2Ba % FSgydF4y2Ba
ді/дтgydF4y2Ba > 100gydF4y2Ba А/мксgydF4y2Ba
ЧасреакціїgydF4y2Ba 交易gydF4y2Ba @90% ipn < 5,0gydF4y2Ba мксgydF4y2Ba
СпоживанняенергіїgydF4y2Ba 集成电路gydF4y2Ba @+15 В <23gydF4y2Ba 妈gydF4y2Ba
@-15 В <4,5gydF4y2Ba 妈gydF4y2Ba
ПропускназдатністьgydF4y2Ba BWgydF4y2Ba @-3 дБ, ipn dc-20gydF4y2Ba КХЗgydF4y2Ba
НапругаізоляціїgydF4y2Ba VgydF4y2BadgydF4y2Ba @50/60 Гц, 1 хв, змінний ст т м, 1,5 мА 4,0gydF4y2Ba KVgydF4y2Ba

1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
3.gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba

ТипкільцяЕлектричнідані:(Ta = 25°C Vc = + 12 0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

ПараметрgydF4y2Ba

MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba

ВМЛРХ-100А/ 2gydF4y2Ba

mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba

mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba

одиницяgydF4y2Ba

НомінальнапотужністьgydF4y2Ba

我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba

50gydF4y2Ba

One hundred.gydF4y2Ba

200gydF4y2Ba

300gydF4y2Ba

400gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

ДіапазонвимірюванняgydF4y2Ba

我gydF4y2BaPgydF4y2Ba

0 ~±50gydF4y2Ba

0 ~±100gydF4y2Ba

0 ~±200gydF4y2Ba

0 ~±300gydF4y2Ba

0 ~±400gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

ВихіднанапругаgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

2500±2 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

ВихіднанапругаgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

2500年gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

ОпірнавантаженьgydF4y2Ba

RgydF4y2BalgydF4y2Ba

>2gydF4y2Ba

кОмgydF4y2Ba

НапругаживленняgydF4y2Ba

VgydF4y2BaCgydF4y2Ba

+ 12 0±5%gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

ТочністьgydF4y2Ba

XgydF4y2BaGgydF4y2Ba

@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

%gydF4y2Ba

НапругазсувуgydF4y2Ba

VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba

@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba

<±25gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

Зміна температ т т vgydF4y2BaOEgydF4y2Ba

VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba

@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

мВ/℃gydF4y2Ba

Напруга зміщення гістерезисуgydF4y2Ba

VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba

@ip =0, після 1* ipngydF4y2Ba

<±20gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

ПомилкалінійностіgydF4y2Ba

εrgydF4y2Ba

< 1 0gydF4y2Ba

% FSgydF4y2Ba

ді/дтgydF4y2Ba

> 100gydF4y2Ba

А/мксgydF4y2Ba

ЧасреакціїgydF4y2Ba

交易gydF4y2Ba

@90%互gydF4y2Ba < 3,0gydF4y2Ba

мксgydF4y2Ba

СпоживанняенергіїgydF4y2Ba

我gydF4y2BaCgydF4y2Ba

15gydF4y2Ba

妈gydF4y2Ba

ПропускназдатністьgydF4y2Ba

BWgydF4y2Ba

@-3 дБ, ipngydF4y2Ba

dc = 20gydF4y2Ba

КХЗgydF4y2Ba

НапругаізоляціїgydF4y2Ba

VdgydF4y2Ba

@50/60 Гц, 1 хв, змінний ст т умgydF4y2Ba

2.5gydF4y2Ba

KVgydF4y2Ba

Загальнідані:gydF4y2Ba

Параметр参数gydF4y2Ba

符号СимволgydF4y2Ba

数值ЗначенняgydF4y2Ba

单位ОдиницяgydF4y2Ba

РобочатемператураgydF4y2Ba

TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba

-40 ~ +85gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

ТемпературазберіганняgydF4y2Ba

TsgydF4y2Ba

-55 ~ +125gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

вагаgydF4y2Ba

米gydF4y2Ba

70gydF4y2Ba

ggydF4y2Ba

ПластиковийматеріалgydF4y2Ba

PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba

СтандартиgydF4y2Ba

IEC60950-1:2001gydF4y2Ba

EN50178:1998gydF4y2Ba

sj20790 - 2000gydF4y2Ba

(Розміримм):gydF4y2Ba

222gydF4y2Ba

Зауваження:gydF4y2Ba

1.Коливимірюванийструмпроходитьчерезпервиннийконтактдатчика,напругабудевимірюватисянавихідномукінці。:(Примітканеправильнепідключенняможепризвестидопошкодженнядатчика)。gydF4y2Ba

2,доступнийіндивідуальнийдизайнзрізнимномінальнимвхіднимструмомівихідноюнапругою。gydF4y2Ba

3,динамічнапродуктивністьнайкраща,колипервиннийотвірповністюзаповнений;gydF4y2Ba

4、Первинний провідник має б б т т <100°c;gydF4y2Ba

8gydF4y2Ba

ПрямокутнийтипЕлектричнідані:(Ta = 25°C Vc = + 12 0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

ПараметрgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba-200年А/ 2ВgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 600А/ 2ВgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 800А/ 2ВgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 1000А/ 2ВgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 1200А/ 2ВgydF4y2Ba

MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba

одиницяgydF4y2Ba

НомінальнапотужністьgydF4y2Ba

互gydF4y2Ba

200gydF4y2Ba

600gydF4y2Ba

800gydF4y2Ba

1000gydF4y2Ba

1200gydF4y2Ba

2000年рікgydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

ДіапазонвимірюванняgydF4y2Ba

知识产权gydF4y2Ba

0 ~±200gydF4y2Ba

0 ~±600gydF4y2Ba

0 ~±800gydF4y2Ba

0 ~±1000gydF4y2Ba

0 ~±1200gydF4y2Ba

0 ~±2000gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

ВихіднанапругаgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

2500±2 0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

ВихіднанапругаgydF4y2Ba

签证官gydF4y2Ba

@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

2500年gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

ОпірнавантаженьgydF4y2Ba

RLgydF4y2Ba

>2gydF4y2Ba

кОмgydF4y2Ba

НапругаживленняgydF4y2Ba

风投gydF4y2Ba

+ 12 0±5%gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

ТочністьgydF4y2Ba

XGgydF4y2Ba

@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

%gydF4y2Ba

НапругазсувуgydF4y2Ba

小海湾gydF4y2Ba

@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba

<±25gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

Температурна варіація ВОЕgydF4y2Ba

嗓音起始时间gydF4y2Ba

@ip =0,-40 ~ +85°cgydF4y2Ba

<±1,0gydF4y2Ba

мВ/℃gydF4y2Ba

Напруга зміщення гістерезисуgydF4y2Ba

VOHgydF4y2Ba

@ip =0, після 1* ipngydF4y2Ba

<±20gydF4y2Ba

mVgydF4y2Ba

ПомилкалінійностіgydF4y2Ba

εrgydF4y2Ba

< 1 0gydF4y2Ba

% FSgydF4y2Ba

ді/дтgydF4y2Ba

> 100gydF4y2Ba

А/мксgydF4y2Ba

ЧасреакціїgydF4y2Ba

交易gydF4y2Ba

@90%互gydF4y2Ba < 7日0gydF4y2Ba

мксgydF4y2Ba

СпоживанняенергіїgydF4y2Ba

集成电路gydF4y2Ba

15gydF4y2Ba

妈gydF4y2Ba

ПропускназдатністьgydF4y2Ba

BWgydF4y2Ba

@-3 дБ, ipngydF4y2Ba

dc = 20gydF4y2Ba

КХЗgydF4y2Ba

НапругаізоляціїgydF4y2Ba

VdgydF4y2Ba

@50/60 Гц, 1 хв, змінний ст т умgydF4y2Ba

6.0gydF4y2Ba

KVgydF4y2Ba

Загальнідані:gydF4y2Ba

Параметр参数gydF4y2Ba

符号СимволgydF4y2Ba

数值ЗначенняgydF4y2Ba

单位ОдиницяgydF4y2Ba

РобочатемператураgydF4y2Ba

助教gydF4y2Ba

-40 ~ +85gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

ТемпературазберіганняgydF4y2Ba

TsgydF4y2Ba

-55 ~ +125gydF4y2Ba

°CgydF4y2Ba

вагаgydF4y2Ba

米gydF4y2Ba

200gydF4y2Ba

ggydF4y2Ba

ПластиковийматеріалgydF4y2Ba

PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba

СтандартиgydF4y2Ba

IEC60950-1:2001gydF4y2Ba

EN50178:1998gydF4y2Ba

sj20790 - 2000gydF4y2Ba

(Розміримм):gydF4y2Ba

111gydF4y2Ba

Зауваження:gydF4y2Ba

1.Коливимірюванийструмпроходитьчерезпервиннийконтактдатчика,напругабудеgydF4y2Ba

Виміряно на вихідному кінці。:(Примітканеправильнепідключенняможепризвестидопошкодженнядатчика)。gydF4y2Ba

2,доступнийіндивідуальнийдизайнізрізнимномінальнимвхіднимструмомівихідноюнапругою。gydF4y2Ba

3,динамічнапродуктивністьнайкраща,колипервиннийотвірповністюзаповнений;gydF4y2Ba

4、Первинний провідник має б б т т <100°c;gydF4y2Ba

10gydF4y2Ba

  • Попередній:gydF4y2Ba
  • далі:gydF4y2Ba

  • НапишітьсвоєповідомленнятутінадішлітьйогонамgydF4y2Ba
    Baidu
    map