传感器电流效应霍尔传感器核分割gydF4y2Ba
DescripciogydF4y2Ba
| Nom del productegydF4y2Ba | 传感器电流效应霍尔传感器核分割gydF4y2Ba |
| P / NgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
| Corrent名义primàriagydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
| Tensió sortidagydF4y2Ba | Potència única 2,5±2 VgydF4y2Ba |
| 快potenciagydF4y2Ba | Potència双0±4VgydF4y2Ba |
| Tensió de support d'aïllamentgydF4y2Ba | 3 kv / 1分钟gydF4y2Ba |
| Freqüència de funcionamentgydF4y2Ba | 50 - 60赫兹gydF4y2Ba |
| 功能温度gydF4y2Ba | -40℃~ + 85℃gydF4y2Ba |
| AillamentgydF4y2Ba | 环氧树脂包封gydF4y2Ba |
| Carcassa外gydF4y2Ba | PBT ignifuggydF4y2Ba |
| 一个gydF4y2BaaplicaciogydF4y2Ba | Electrodomèstics de freqüència变量，逆变器，变速器AC/DCgydF4y2Ba 字体d'alimentació en mode commutat (SMPS)，字体d'alimentació ininterrompuda (UPS)，gydF4y2Ba |
的特性gydF4y2Ba
Facil设置·laciogydF4y2Ba
精细结构gydF4y2Ba
白斑消耗d'energia，蜕皮bona linealitatgydF4y2Ba
Només un异议每一个una àmplia伽玛德分类实际gydF4y2Ba
Alta免疫interferències外部gydF4y2Ba
Sense pèrdues d'inserciógydF4y2Ba
传感器de corrent双de potènciagydF4y2Ba
Dades elèctriques (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba
| Entrada名义gydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | 20/50/100gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| 中村间隔gydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±30 /±75±150gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| Tensió sortidagydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| Resistència de càrregagydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | > 10gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
| Tensio d 'alimentaciogydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| PrecisiogydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @IPN, T = 25°C <±1,0gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| Tensió de compensaciógydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @ip =0, t =25°c <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| Variació温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0，-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba <±0,5/<±0,5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
| Variació温度VgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn， -40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| Tensió de compensació d'histèresigydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @IP=0, després d'1*IPN <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| 线性错误gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba | < 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
| di / dtgydF4y2Ba | ＞ 100gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
| 时间gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba | @90% de l'IPN < 5,0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
| El consum d'energiagydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
| @-15V < 4、5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
| Ample de bandagydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN DC-20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
| Tensio d 'aillamentgydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60Hz, 1分钟，CA, 1,5 mA 4,0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
Tipus d'anell Dades elèctriques:(Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)gydF4y2Ba
标记为gydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
UnitatgydF4y2Ba |
|
| Entrada名义gydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
One hundred.gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
300gydF4y2Ba |
400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| 中村间隔gydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
0 ~±50gydF4y2Ba |
0 ~±100gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±300gydF4y2Ba |
0 ~±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| Tensió sortidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| Tensió sortidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
| Resistència de càrregagydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
| Tensio d 'alimentaciogydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| PrecisiogydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
|||
| Tensió de compensaciógydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| Variació温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
| Tensió de compensació d'histèresigydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@IP=0, després d'1*IPNgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| 线性错误gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
| di / dtgydF4y2Ba | ＞ 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
| 时间gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@90% de l'IPNgydF4y2Ba | < 3,0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
|||
| El consum d'energiagydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
| Ample de bandagydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
| Tensio d 'aillamentgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1分钟，交流gydF4y2Ba | 2.5gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
|||
爸爸将军:gydF4y2Ba
| 参数ParàmetregydF4y2Ba | Símbol符号gydF4y2Ba |
数值英勇gydF4y2Ba |
单位UnitatgydF4y2Ba |
| 功能温度gydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| 温度gydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| PesgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| 塑料材料gydF4y2Ba | PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba |
||
| 规范gydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
尺寸(毫米):gydF4y2Ba
Observacions:gydF4y2Ba
1，全es mesurarà el corrent passa pel pin primary id’un sensor, la tensió es mesurarà a l’extremm de sortida。(注:el cablejat fals pot provocar danys al sensor)。gydF4y2Ba
2, hi ha UN不同corrents nomals d'entrada I tensió de sortida。gydF4y2Ba
3、el rendiment dinàmic és el millor quan el forat primary i s'omple complement;gydF4y2Ba
4、el导体原生ha de ser <100°C;gydF4y2Ba
Tipus矩形Dades elèctriques:(Ta = 25°C, Vc = + 12,0 VDC, RL = 2 KΩ)gydF4y2Ba
标记为gydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
UnitatgydF4y2Ba |
|
| Entrada名义gydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
600gydF4y2Ba |
800gydF4y2Ba |
1000gydF4y2Ba |
1200gydF4y2Ba |
2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| 中村间隔gydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±600gydF4y2Ba |
0 ~±800gydF4y2Ba |
0 ~±1000gydF4y2Ba |
0 ~±1200gydF4y2Ba |
0 ~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| Tensió sortidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2,0* (ip / ipn)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| Tensió sortidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| Resistència de càrregagydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
| Tensio d 'alimentaciogydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| PrecisiogydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
||||
| Tensió de compensaciógydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| Variació de VOE温度gydF4y2Ba | 嗓音起始时间gydF4y2Ba |
@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
| Tensió de compensació d'histèresigydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@IP=0, després d'1*IPNgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| 线性错误gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
| di / dtgydF4y2Ba | ＞ 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
| 时间gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@90% de l'IPNgydF4y2Ba | < 7日0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
||||
| El consum d'energiagydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
| Ample de bandagydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
| Tensio d 'aillamentgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1分钟，交流gydF4y2Ba | 6．0gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
||||
爸爸将军:gydF4y2Ba
| 参数ParàmetregydF4y2Ba | Símbol符号gydF4y2Ba |
数值英勇gydF4y2Ba |
单位UnitatgydF4y2Ba |
| 功能温度gydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| 温度gydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| PesgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| 塑料材料gydF4y2Ba | PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba |
||
| 规范gydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
尺寸(毫米):gydF4y2Ba
Observacions:gydF4y2Ba
1、全es mesurarà el corrent passa pel pin primary d’un传感器，la tensió seràgydF4y2Ba
Mesurat a l' extreme de sortida。(注:el cablejat fals pot provocar danys al sensor)。gydF4y2Ba
2, hi ha disponibles不同corrents d'entrada nomals I tensió de sortida。gydF4y2Ba
3、el rendiment dinàmic és el millor quan el forat primary i està complement ple;gydF4y2Ba
4、el导体原生ha de ser <100°C;gydF4y2Ba
