英语gydF4y2Ba

Επιλεγμένηεικόνααισθητήραδιαιρέματοςπυρήνααισθητήραρεύματος大厅gydF4y2Ba

Μορφοτροπέαςδιαχωρισμούπυρήνααισθητήραρεύματοςεφέ大厅gydF4y2Ba

P / N: mlrh - 2147gydF4y2Ba

ΡωτήστετώραgydF4y2Ba ΕπόμενοΠροϊόνgydF4y2Ba

Λεπτομέρειαπροϊόντος)gydF4y2Ba

ΕτικέτεςπροϊόντωνgydF4y2Ba

ΠεριγραφήgydF4y2Ba

Ονομασίαπροϊόντος)gydF4y2Ba	Μορφοτροπέαςδιαχωρισμούπυρήνααισθητήραρεύματοςεφέ大厅gydF4y2Ba
P / NgydF4y2Ba	mlrh - 2147gydF4y2Ba
Πρωτεύον ονομαστικό ρε υ υgydF4y2Ba	20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba
ΤάσηεξόδουgydF4y2Ba	Μονή Ισχύς 2,5±2vgydF4y2Ba
ΔιπλήΙσχύςgydF4y2Ba	Διπλή Ισχύς 0±4vgydF4y2Ba
ΤάσηαντοχήςμόνωσηςgydF4y2Ba	3 kv / 1分钟gydF4y2Ba
ΣυχνότηταλειτουργίαςgydF4y2Ba	50-60HzgydF4y2Ba
ΘερμοκρασίαλειτουργίαςgydF4y2Ba	-40℃~ +85℃gydF4y2Ba
ΜόνωσηgydF4y2Ba	Εποξειδική ρητ νη λακωgydF4y2Ba
ΕξωτερικήθήκηgydF4y2Ba	Επιβραδυντικό φλόγας PBTgydF4y2Ba
一个gydF4y2BaεφαρμογήgydF4y2Ba	Ηλεκτρικέςσυσκευέςμεταβλητήςσυχνότητας,μετατροπέας,μετάδοσηκίνησηςAC / DCμεταβλητήςταχύτηταςgydF4y2Ba Τροφοδοτικάμεταγωγής(smp),Τροφοδοτικάαδιάλειπτηςισχύος(UPS),gydF4y2Ba

ΧαρακτηριστικάgydF4y2Ba

ΕύκοληεγκατάστασηgydF4y2Ba

ΔομήπαραθύρουgydF4y2Ba

Χαμηλήκατανάλωσηενέργειας,πολύκαλήγραμμικότηταgydF4y2Ba

Μόνοένασχέδιογιαμεγάλοεύροςχαρακτηρισμώνρεύματος)gydF4y2Ba

Υψηλή σ νο σε ξωτερικ痛ζ παρεμβολ social social ζgydF4y2Ba

Χωρίς απώλειες ? ? ?gydF4y2Ba

Αισθητήρας ρε υ υ τος Dual Power HallgydF4y2Ba

Ηλεκτρικά δεδο (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba

Ονομαστικήείσοδος)gydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba	20/50/100gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ΕύροςμέτρησηςgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba	±30 /±75±150gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ΤάσηεξόδουgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_ogydF4y2Ba	*(Ι±4 0gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba/我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba
ΑντοχήφορτίουgydF4y2Ba	RgydF4y2Ba_lgydF4y2Ba	＞10gydF4y2Ba	KΩgydF4y2Ba
ΤάσητροφοδοσίαςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba	(±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba
ΑκρίβειαgydF4y2Ba	XgydF4y2Ba_GgydF4y2Ba	@IPN, T = 25°C <±1,0gydF4y2Ba	％gydF4y2Ba
ΤάσημετατόπισηςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba	mVgydF4y2Ba
Διακύμανση θερμοκρασ ςgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_不gydF4y2Ba	@ip =0，-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba <±0,5/<±0,5gydF4y2Ba	mV /℃gydF4y2Ba
Διακύμανση θερμοκρασ ςgydF4y2Ba_OgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_{操作系统gydF4y2Ba}	@ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba	％gydF4y2Ba
Τάση μετατ ιση ζ υστ ρησηςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_哦gydF4y2Ba	@ip =0，μετ από 1* ipn <±25gydF4y2Ba	mVgydF4y2Ba
ΣφάλμαγραμμικότηταςgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba	< 1 0gydF4y2Ba	% FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba		＞ 100gydF4y2Ba	一个/μsgydF4y2Ba
ΧρόνοςαπόκρισηςgydF4y2Ba	τραgydF4y2Ba	@90% του ipn < 5,0gydF4y2Ba	μsgydF4y2Ba
ΚατανάλωσηενέργειαςgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba	@ + 15 v < 23gydF4y2Ba	妈gydF4y2Ba
ΚατανάλωσηενέργειαςgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba	@-15V < 4、5gydF4y2Ba	妈gydF4y2Ba
εύροςζώνηςgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba	千赫gydF4y2Ba
ΤάσημόνωσηςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_dgydF4y2Ba	@50/60Hz, 1 λεπτό， AC, 1,5 mA 4,0gydF4y2Ba	KVgydF4y2Ba

ΤύποςδακτυλίουΗλεκτρικάδεδομένα:(Ta = 25°C Vc = + 12 0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

Παράμετρος)gydF4y2Ba		MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba	mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba	ΜονάδαgydF4y2Ba
Ονομαστικήείσοδος)gydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba	50gydF4y2Ba	One hundred.gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	300gydF4y2Ba	400gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ΕύροςμέτρησηςgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba	0 ~±50gydF4y2Ba	0 ~±100gydF4y2Ba	0 ~±200gydF4y2Ba	0 ~±300gydF4y2Ba	0 ~±400gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ΤάσηεξόδουgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba			2.500±2.0 *(ΙgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba/我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ΤάσηεξόδουgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		2.500gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ΑντοχήφορτίουgydF4y2Ba	RgydF4y2Ba_lgydF4y2Ba			> 2gydF4y2Ba			KΩgydF4y2Ba
ΤάσητροφοδοσίαςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba			+ 12 0±5%gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ΑκρίβειαgydF4y2Ba	XgydF4y2Ba_GgydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba			％gydF4y2Ba
ΤάσημετατόπισηςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba		<±25gydF4y2Ba			mVgydF4y2Ba
Διακύμανση θερμοκρασ ςgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_不gydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba			mV /℃gydF4y2Ba
Τάση μετατ ιση ζ υστ ρησηςgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_哦gydF4y2Ba	@ip =0， μετ από 1* ipngydF4y2Ba		<±20gydF4y2Ba			mVgydF4y2Ba
ΣφάλμαγραμμικότηταςgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba			< 1 0gydF4y2Ba			% FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba				＞ 100gydF4y2Ba			一个/μsgydF4y2Ba
ΧρόνοςαπόκρισηςgydF4y2Ba	τραgydF4y2Ba	@90% ου ipngydF4y2Ba		< 3,0gydF4y2Ba			μsgydF4y2Ba
ΚατανάλωσηενέργειαςgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_CgydF4y2Ba			15gydF4y2Ba			妈gydF4y2Ba
εύροςζώνηςgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB,互gydF4y2Ba		dc = 20gydF4y2Ba			千赫gydF4y2Ba
ΤάσημόνωσηςgydF4y2Ba	VdgydF4y2Ba	@50/60Hz, 1 λεπτ， ACgydF4y2Ba		2.5gydF4y2Ba			KVgydF4y2Ba

Γενικάδεδομένα:gydF4y2Ba

参数ΠαράμετροςgydF4y2Ba	符号ΣύμβολοgydF4y2Ba	数值ΑξίαgydF4y2Ba	单位ΜονάδαgydF4y2Ba
ΘερμοκρασίαλειτουργίαςgydF4y2Ba	TgydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}	-40 ~ +85gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
ΘερμοκρασίααποθήκευσηςgydF4y2Ba	TsgydF4y2Ba	-55 ~ + 125gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
Βάρος)gydF4y2Ba	米gydF4y2Ba	70gydF4y2Ba	ggydF4y2Ba
ΠλαστικόυλικόgydF4y2Ba	PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
ΠρότυπαgydF4y2Ba	IEC60950-1:2001gydF4y2Ba
	EN50178:1998gydF4y2Ba
	sj20790 - 2000gydF4y2Ba

Διαστάσεις(毫米):gydF4y2Ba

Παρατηρήσεις:gydF4y2Ba

1,Όταντορεύμαπουθαμετρηθείπερνάειαπότηνκύριαακίδαενόςαισθητήρα,ητάσηθαμετρηθείστοάκροεξόδου。(Σημείωση:Ηλανθασμένηκαλωδίωσημπορείναπροκαλέσειβλάβηστοναισθητήρα)。gydF4y2Ba

2,Προσαρμοσμένοσχέδιοστοδιαφορετικόονομαστικόρεύμαεισόδουκαιτηντάσηεξόδουείναιδιαθέσιμα。gydF4y2Ba

3,Ηδυναμικήαπόδοσηείναιηκαλύτερηότανηκύριατρύπαείναιπλήρωςγεμάτη。gydF4y2Ba

4、Ο πρω ω να γωγό ζ πρ ι να ε <100°c。gydF4y2Ba

ΟρθογώνιοςΤύποςΗλεκτρικάδεδομένα:(Ta = 25°C Vc = + 12 0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

Παράμετρος)gydF4y2Ba		MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba	ΜονάδαgydF4y2Ba
Ονομαστικήείσοδος)gydF4y2Ba	互gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	600gydF4y2Ba	800gydF4y2Ba	1000gydF4y2Ba	1200gydF4y2Ba	2000gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ΕύροςμέτρησηςgydF4y2Ba	知识产权gydF4y2Ba	0 ~±200gydF4y2Ba	0 ~±600gydF4y2Ba	0 ~±800gydF4y2Ba	0 ~±1000gydF4y2Ba	0 ~±1200gydF4y2Ba	0 ~±2000gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ΤάσηεξόδουgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba			2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ΤάσηεξόδουgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		2.500gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ΑντοχήφορτίουgydF4y2Ba	RLgydF4y2Ba			> 2gydF4y2Ba				KΩgydF4y2Ba
ΤάσητροφοδοσίαςgydF4y2Ba	风投gydF4y2Ba			+ 12 0±5%gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ΑκρίβειαgydF4y2Ba	XGgydF4y2Ba	@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba				％gydF4y2Ba
ΤάσημετατόπισηςgydF4y2Ba	小海湾gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		<±25gydF4y2Ba				mVgydF4y2Ba
Διακύμανση θερμοκρασ ς voegydF4y2Ba	ΨΗΦΟΣgydF4y2Ba	@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba				mV /℃gydF4y2Ba
Τάση μετατ ιση ζ υστ ρησηςgydF4y2Ba	VOHgydF4y2Ba	@ip =0， μετ από 1* ipngydF4y2Ba		<±20gydF4y2Ba				mVgydF4y2Ba
ΣφάλμαγραμμικότηταςgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba			< 1 0gydF4y2Ba				% FSgydF4y2Ba
di / dtgydF4y2Ba				＞ 100gydF4y2Ba				一个/μsgydF4y2Ba
ΧρόνοςαπόκρισηςgydF4y2Ba	τραgydF4y2Ba	@90% ου ipngydF4y2Ba		< 7日0gydF4y2Ba				μsgydF4y2Ba
ΚατανάλωσηενέργειαςgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba			15gydF4y2Ba				妈gydF4y2Ba
εύροςζώνηςgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB,互gydF4y2Ba		dc = 20gydF4y2Ba				千赫gydF4y2Ba
ΤάσημόνωσηςgydF4y2Ba	VdgydF4y2Ba	@50/60Hz, 1 λεπτ， ACgydF4y2Ba		6．0gydF4y2Ba				KVgydF4y2Ba

Γενικάδεδομένα:gydF4y2Ba

参数ΠαράμετροςgydF4y2Ba	符号ΣύμβολοgydF4y2Ba	数值ΑξίαgydF4y2Ba	单位ΜονάδαgydF4y2Ba
ΘερμοκρασίαλειτουργίαςgydF4y2Ba	助教gydF4y2Ba	-40 ~ +85gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
ΘερμοκρασίααποθήκευσηςgydF4y2Ba	TsgydF4y2Ba	-55 ~ + 125gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
Βάρος)gydF4y2Ba	米gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	ggydF4y2Ba
ΠλαστικόυλικόgydF4y2Ba	PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
ΠρότυπαgydF4y2Ba	IEC60950-1:2001gydF4y2Ba
	EN50178:1998gydF4y2Ba
	sj20790 - 2000gydF4y2Ba