传感器de corrente de efecto霍尔传感器núcleo dididogydF4y2Ba
DescriciongydF4y2Ba
| 我不做产品gydF4y2Ba | 传感器de corrente de efecto霍尔传感器núcleo dididogydF4y2Ba |
| P / NgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
| Corrente名义原发性gydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
| Tensión de saídagydF4y2Ba | 电位única 2,5±2 VgydF4y2Ba |
| Potencia双gydF4y2Ba | Alimentación双0±4VgydF4y2Ba |
| Tensión soportada de illamentogydF4y2Ba | 3 kv / 1分钟gydF4y2Ba |
| operacióngydF4y2Ba | 50 - 60赫兹gydF4y2Ba |
| 温度operacióngydF4y2Ba | -40℃~ +85℃gydF4y2Ba |
| IllamentogydF4y2Ba | 环氧树脂包封gydF4y2Ba |
| Carcasa外gydF4y2Ba | PBT ignifugogydF4y2Ba |
| 一个gydF4y2BaaplicaciongydF4y2Ba | Aparellos eléctricos变频器变频器变频器变频器变频器AC/DCgydF4y2Ba Fontes de alimentación conmutadas (SMPS)， Fontes de alimentación ininterrompidas (UPS)，gydF4y2Ba |
caracteristicasgydF4y2Ba
Facil instalaciongydF4y2Ba
发情gydF4y2Ba
百索消费德enerxía, moi boa linealidadegydF4y2Ba
Só un deseño para unha ampla gama de clasificacións actuaisgydF4y2Ba
高度封闭，外部干扰gydF4y2Ba
Sen perdas de insercióngydF4y2Ba
感应器，双重权力厅gydF4y2Ba
Datos eléctricos (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba
| Entrada clasificadagydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | 20/50/100gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| 兰戈·德medicióngydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±30 /±75±150gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| Tensión de saídagydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| 莱斯滕西亚德卡加gydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | > 10gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
| Tensión de alimentacióngydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| 精度gydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @ipn, t =25°c <±1,0gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| Tensión de compensacióngydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @ip =0, t =25°c <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| Variación温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0，-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba <±0,5/<±0,5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
| Variación温度VgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| Tensión de compensación de histéresegydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @IP=0,despois de 1*IPN <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| 直线误差gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba | < 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
| di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
| 节奏gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba | @ 90% do IPN < 5,0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
| 消费de enerxíagydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
| @-15V < 4、5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
| Ancho de bandagydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN DC-20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
| Tensión de illamentogydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60Hz, 1分钟，CA, 1,5 mA 4,0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
Tipo de anel Datos eléctricos:(Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)gydF4y2Ba
ParametrogydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
UnidadegydF4y2Ba |
|
| Entrada clasificadagydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
One hundred.gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
300gydF4y2Ba |
400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| 兰戈·德medicióngydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
0 ~±50gydF4y2Ba |
0 ~±100gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±300gydF4y2Ba |
0 ~±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| Tensión de saídagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| Tensión de saídagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
| 莱斯滕西亚德卡加gydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
| Tensión de alimentacióngydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+12,0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| 精度gydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
|||
| Tensión de compensacióngydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| Variación温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
| Tensión de compensación de histéresegydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@IP=0, despois de 1*IPNgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| 直线误差gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
| di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
| 节奏gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@90%做IPNgydF4y2Ba | < 3,0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
|||
| 消费de enerxíagydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
| Ancho de bandagydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
| Tensión de illamentogydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60 Hz, 1分钟，交流gydF4y2Ba | 2.5gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
|||
拿督xerais:gydF4y2Ba
| 参数ParámetrogydF4y2Ba | Símbolo符号gydF4y2Ba |
数值英勇gydF4y2Ba |
Unidade单位gydF4y2Ba |
| 温度operacióngydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| 温度gydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| 比索gydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| 材料plasticogydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
| EstandaresgydF4y2Ba | IEC 60950 - 1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
尺寸(毫米):gydF4y2Ba
Observacions:gydF4y2Ba
1、Cando se medirá corrente pasa polo pin primary dun sensor, tensión mediase no extremo de saída。(Nota: o cableado falso pode provocar danos no sensor)。gydF4y2Ba
2、están dispoñibles UN deseño不同的人名人名的分类tensión de saída。gydF4y2Ba
3、o rendemento dinámico é o mellor cando o buraco principal está totalmente cheo;gydF4y2Ba
4、o导体初级温度<100°C;gydF4y2Ba
Tipo矩形Datos eléctricos:(Ta=25°C, Vc=+12.0VDC, RL=2KΩ)gydF4y2Ba
ParametrogydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 ~ 600a / 2vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 ~ 800a / 2vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4- 1000a / 2vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 ~ 1200a / 2vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
UnidadegydF4y2Ba |
|
| Entrada clasificadagydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
600gydF4y2Ba |
800gydF4y2Ba |
1000gydF4y2Ba |
1200gydF4y2Ba |
2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| 兰戈·德medicióngydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±600gydF4y2Ba |
0 ~±800gydF4y2Ba |
0 ~±1000gydF4y2Ba |
0 ~±1200gydF4y2Ba |
0 ~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| Tensión de saídagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| Tensión de saídagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| 莱斯滕西亚德卡加gydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
| Tensión de alimentacióngydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+12,0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| 精度gydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
||||
| Tensión de compensacióngydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| Variación de VOE温度gydF4y2Ba | 嗓音起始时间gydF4y2Ba |
@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
| Tensión de compensación de histéresegydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@IP=0, despois de 1*IPNgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| 直线误差gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
| di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
| 节奏gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@90%做IPNgydF4y2Ba | < 7日0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
||||
| 消费de enerxíagydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
| Ancho de bandagydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
| Tensión de illamentogydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60 Hz, 1分钟，交流gydF4y2Ba | 6．0gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
||||
拿督xerais:gydF4y2Ba
| 参数ParámetrogydF4y2Ba | Símbolo符号gydF4y2Ba |
数值英勇gydF4y2Ba |
Unidade单位gydF4y2Ba |
| 温度operacióngydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| 温度gydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| 比索gydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| 材料plasticogydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
| EstandaresgydF4y2Ba | IEC 60950 - 1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
尺寸(毫米):gydF4y2Ba
Observacions:gydF4y2Ba
1、Cando se medirá一个corrente pasa polo pin主盾传感器，一个tensión serágydF4y2Ba
Medido no extremo de saída。(Nota: o cableado falso pode provocar danos no sensor)。gydF4y2Ba
2、están dispoñibles deseño personalizado nas different correntes de entrada nominales e na tensión de saída。gydF4y2Ba
3、o rendemento dinámico é o mellor cando o buraco principal está totalmente cheo;gydF4y2Ba
4、o导体初级温度<100°C;gydF4y2Ba
