ჰოლისეფექტისდენისსენსორისგაყოფისბირთვისგადამყვანიgydF4y2Ba
აღწერაgydF4y2Ba
| ᲞროდუქტისსახელიgydF4y2Ba | ჰოლისეფექტისდენისსენსორისგაყოფისბირთვისგადამყვანიgydF4y2Ba |
| P / NgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
| პირველადირეიტინგულიდენიgydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
| გამომავალიძაბვაgydF4y2Ba | ერთჯერადისიმძლავრე2.5±2ვgydF4y2Ba |
| ორმაგისიმძლავრეgydF4y2Ba | ორმაგისიმძლავრე0±4vgydF4y2Ba |
| იზოლაციაუძლებსძაბვასgydF4y2Ba | 3კვ/1წთgydF4y2Ba |
| ოპერაციულისიხშირეgydF4y2Ba | 50 - 60ჰცgydF4y2Ba |
| ოპერაციულიტემპერატურაgydF4y2Ba | -40℃~ +85℃gydF4y2Ba |
| იზოლაციაgydF4y2Ba | ეპოქსიდურიფისიინკაფსულირებულიgydF4y2Ba |
| გარესაქმეgydF4y2Ba | ცეცხლგამძლეPBTgydF4y2Ba |
| 一个gydF4y2BaგანაცხადიgydF4y2Ba | ცვლადისიხშირისელექტრომოწყობილობები,ინვერტორი,ცვლადისიჩქარისAC / DCgydF4y2Ba გადართვისრეჟიმისკვებისწყაროები(smp),უწყვეტიკვებისწყაროები(UPS),gydF4y2Ba |
მახასიათებლებიgydF4y2Ba
მარტივიინსტალაციაgydF4y2Ba
ფანჯრისსტრუქტურაgydF4y2Ba
დაბალიენერგიისმოხმარება，ძალიანკარგიწრფივობაgydF4y2Ba
მხოლოდერთიდიზაინიფართომიმდინარერეიტინგებისდიაპაზონისთვისgydF4y2Ba
მაღალიიმუნიტეტიგარეჩარევისმიმართgydF4y2Ba
ჩასმისდანაკარგებიარარისgydF4y2Ba
双动力大厅დენისსენსორიgydF4y2Ba
ელექტრულიმონაცემები(Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba
| რეიტინგულიშეყვანაgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | 20/50/100gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| საზომიდიაპაზონიgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±30 /±75±150gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| გამომავალიძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| დატვირთვისწინააღმდეგობაgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | ＞10gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
| მიწოდებისძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| სიზუსტეgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @IPN, T = 25°C <±1.0gydF4y2Ba | %gydF4y2Ba |
| ოფსეტურიძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| ტემპერატურულიცვალებადობაgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0，-40 ~ +85°c <±1.0/gydF4y2Ba <±0.5 / <±0.5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
| ტემპერატურულიცვალებადობაgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2.5gydF4y2Ba | %gydF4y2Ba |
| ჰისტერეზისოფსეტურიძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @ip = 0,1 * ipn -ისშემდეგ<±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| წრფივიშეცდომაgydF4y2Ba | ეrgydF4y2Ba | < 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
| დი/დტgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
| ᲠეაგირებისდროgydF4y2Ba | ტრაgydF4y2Ba | Ipn -ის90% < 5.0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
| ᲔნერგომოხმარებაgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
| @-15V < 4.5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
| გამტარუნარიანობაgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
| საიზოლაციოძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60Hz, 1წთ，交流，1.5 mA 4.0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
ბეჭდისტიპიელექტრულიმონაცემები:(Ta = 25°C; Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba
ᲞარამეტრიgydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
ერთეულიgydF4y2Ba |
|
| რეიტინგულიშეყვანაgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
One hundred.gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
300gydF4y2Ba |
400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| საზომიდიაპაზონიgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
0 ~±50gydF4y2Ba |
0 ~±100gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±300gydF4y2Ba |
0 ~±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| გამომავალიძაბვაgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| გამომავალიძაბვაgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
| დატვირთვისწინააღმდეგობაgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
| მიწოდებისძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+ 12.0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| სიზუსტეgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±1.0gydF4y2Ba |
%gydF4y2Ba |
|||
| ოფსეტურიძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| ტემპერატურულიცვალებადობაgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1.0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
| ჰისტერეზისოფსეტურიძაბვაgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@ip = 0,1 * ipn -ისშემდეგgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| წრფივიშეცდომაgydF4y2Ba | ეrgydF4y2Ba |
< 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
| დი/დტgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
| ᲠეაგირებისდროgydF4y2Ba | ტრაgydF4y2Ba |
IPN -ის@90%。gydF4y2Ba | < 3.0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
|||
| ᲔნერგომოხმარებაgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
| გამტარუნარიანობაgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
| საიზოლაციოძაბვაgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1წთ，交流gydF4y2Ba | 2.5gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
|||
ზოგადიმონაცემები:gydF4y2Ba
| 参数პარამეტრიgydF4y2Ba | 符号სიმბოლოgydF4y2Ba |
数值ღირებულებაgydF4y2Ba |
单位ერთეულიgydF4y2Ba |
| ᲝპერაციულიტემპერატურაgydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| ᲨენახვისტემპერატურაgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| წონაgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| პლასტიკურიმასალაgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
| სტანდარტებიgydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
ზომები(მმ):gydF4y2Ba
შენიშვნები:gydF4y2Ba
1,როდესაცდენიგაზომილიგადისსენსორისპირველადიპინში,ძაბვაგაზომილიიქნებაგამომავალიბოლოს。(შენიშვნა:ცრუგაყვანილობამშეიძლებაგამოიწვიოსსენსორისდაზიანება)。gydF4y2Ba
2,საბაჟოდიზაინიხელმისაწვდომიასხვადასხვარეიტინგულიშეყვანისდენითდაგამომავალიძაბვით。gydF4y2Ba
3,დინამიურიშესრულებასაუკეთესოა,როდესაცპირველადიხვრელისრულადივსება;gydF4y2Ba
4、პირველადიგამტარიუნდაიყოს<100°c;gydF4y2Ba
მართკუთხატიპიელექტრულიმონაცემები:(Ta = 25°C; Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba
ᲞარამეტრიgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
ერთეულიgydF4y2Ba |
|
| რეიტინგულიშეყვანაgydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
600gydF4y2Ba |
800gydF4y2Ba |
1000gydF4y2Ba |
1200gydF4y2Ba |
2000年წgydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| საზომიდიაპაზონიgydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±600gydF4y2Ba |
0 ~±800gydF4y2Ba |
0 ~±1000gydF4y2Ba |
0 ~±1200gydF4y2Ba |
0 ~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| გამომავალიძაბვაgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| გამომავალიძაბვაgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| დატვირთვისწინააღმდეგობაgydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
| მიწოდებისძაბვაgydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+ 12.0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| სიზუსტეgydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±1.0gydF4y2Ba |
%gydF4y2Ba |
||||
| ოფსეტურიძაბვაgydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| Voe -სტემპერატურისცვალებადობაgydF4y2Ba | ხმისმიცემაgydF4y2Ba |
@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1.0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
| ჰისტერეზისოფსეტურიძაბვაgydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@ip = 0,1 * ipn -ისშემდეგgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| წრფივიშეცდომაgydF4y2Ba | ეrgydF4y2Ba |
< 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
| დი/დტgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
| ᲠეაგირებისდროgydF4y2Ba | ტრაgydF4y2Ba |
IPN -ის@90%。gydF4y2Ba | < 7.0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
||||
| ᲔნერგომოხმარებაgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
| გამტარუნარიანობაgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
| საიზოლაციოძაბვაgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1წთ，交流gydF4y2Ba | 6．0gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
||||
ზოგადიმონაცემები:gydF4y2Ba
| 参数პარამეტრიgydF4y2Ba | 符号სიმბოლოgydF4y2Ba |
数值ღირებულებაgydF4y2Ba |
单位ერთეულიgydF4y2Ba |
| ᲝპერაციულიტემპერატურაgydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| ᲨენახვისტემპერატურაgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| წონაgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| პლასტიკურიმასალაgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
| სტანდარტებიgydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
ზომები(მმ):gydF4y2Ba
შენიშვნები:gydF4y2Ba
1,როდესაცდენიგაზომილიგადისსენსორისპირველადიპინში,ძაბვაიქნებაgydF4y2Ba
გაზომილიაგამომავალიბოლოს。(შენიშვნა:ცრუგაყვანილობამშეიძლებაგამოიწვიოსსენსორისდაზიანება)。gydF4y2Ba
2,ხელმისაწვდომიაპერსონალურიდიზაინისხვადასხვანომინალურიშეყვანისდენითდაგამომავალიძაბვით。gydF4y2Ba
3,დინამიურიშესრულებასაუკეთესოა,როდესაცპირველადიხვრელისრულადივსება;gydF4y2Ba
4、პირველადიგამტარიუნდაიყოს<100°c;gydF4y2Ba
შეიძლებათქვენცმოგეწონოთgydF4y2Ba
-
PCBსამონტაჟოდენისტიპისძაბვა/პოტენციურიგადაცემა……gydF4y2Ba
-
სამფაზიანიკომბინირებულიდენისტრანსფორმატორიელ……gydF4y2Ba
-
ბუშისტიპისac / dcდენისტრანსფორმატორისმარტ…gydF4y2Ba
-
გაყოფილიძირითადიდენისტრანსფორმატორიgydF4y2Ba
-
ზუსტიAC / DC PCB -ზედამაგრებულიტიპიმიმდინარეგადაცემის……gydF4y2Ba
-
DCიმუნური母线ტიპისდენისტრანსფორმატორიgydF4y2Ba