英语gydF4y2Ba

ХоллэффектісітокдатчигіБөлінетінөзектүрлендіргішіТаңдаулыкескінgydF4y2Ba

ХоллэффективтітоксенсорыныңбөлінетінөзектүрлендіргішіgydF4y2Ba

P / N: mlrh - 2147gydF4y2Ba

ҚазірсұраңызgydF4y2Ba КелесіөнімgydF4y2Ba

Өнімніңегжей——тегжейіgydF4y2Ba

ӨнімтегтеріgydF4y2Ba

СипаттамаgydF4y2Ba

ӨніматауыgydF4y2Ba	ХоллэффективтітоксенсорыныңбөлінетінөзектүрлендіргішіgydF4y2Ba
P / NgydF4y2Ba	mlrh - 2147gydF4y2Ba
Бастапқы номиналды токgydF4y2Ba	20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba
ШығыскернеуіgydF4y2Ba	Бірыңғай қуат 2,5±2ВgydF4y2Ba
ҚосқуатgydF4y2Ba	Қос қуат 0±4vgydF4y2Ba
Оқшаулау кернеуіне төзімдіgydF4y2Ba	3КВ/ 1минgydF4y2Ba
ЖұмысжиілігіgydF4y2Ba	50 - 60ГцgydF4y2Ba
ЖұмыстемпературасыgydF4y2Ba	-40℃~ +85℃gydF4y2Ba
ОқшаулауgydF4y2Ba	Эпоксидті а р қапталғанgydF4y2Ba
СыртқыкорпусgydF4y2Ba	Жалынға төзімді PBTgydF4y2Ba
一个gydF4y2BaқолдануgydF4y2Ba	Айнымалыжиіліктегіэлектраспаптары,инвертор,айнымалыжылдамдықтыайнымалытокжетегіgydF4y2Ba Ауыстырылатынрежимдегіқуаткөздері(smp),үзіліссізқуаткөздері(UPS),gydF4y2Ba

ЕрекшеөзгешеліктеріgydF4y2Ba

ЖеңілорнатуgydF4y2Ba

ТерезеқұрылымыgydF4y2Ba

Төмен қуат тұтыну， өте жақсы сызықтықgydF4y2Ba

КеңағымдағырейтингтерауқымыүшінтекбірдизайнgydF4y2Ba

Сыртқы кедергілерге жоғары имм м и ните иgydF4y2Ba

Енгізудегі жоғалтулар жоқgydF4y2Ba

Қос қуат холлының ток сенсорыgydF4y2Ba

Электрлік де е ектер (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba

БағаланғанкірісgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba	20/50/100gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ӨлшеудиапазоныgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba	±30 /±75±150gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ШығукернеуіgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_ogydF4y2Ba	±4 0 *(我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba/我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba
ЖүктемегетөзімділікgydF4y2Ba	RgydF4y2Ba_lgydF4y2Ba	＞10gydF4y2Ba	KΩgydF4y2Ba
ҚоректендірукернеуіgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba	(±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba
ДәлдікgydF4y2Ba	XgydF4y2Ba_GgydF4y2Ba	@ipn, t =25°c <±1,0gydF4y2Ba	％gydF4y2Ba
АуыстырукернеуіgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	@ip =0, t =25°c <±25gydF4y2Ba	mVgydF4y2Ba
V температураның өзгеруіgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_不gydF4y2Ba	@ip =0，-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba <±0,5/<±0,5gydF4y2Ba	мВ/℃gydF4y2Ba
V температураның өзгеруіgydF4y2Ba_OgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_{操作系统gydF4y2Ba}	@ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba	％gydF4y2Ba
Гистерезистің ауытқу ке е неу уgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_哦gydF4y2Ba	@ip =0,1* ipn <±25 кейінgydF4y2Ba	mVgydF4y2Ba
СызықтыққатеgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba	< 1 0gydF4y2Ba	% FSgydF4y2Ba
/дидтgydF4y2Ba		> 100gydF4y2Ba	一个/μsgydF4y2Ba
Жауап бе е у уақытыgydF4y2Ba	траgydF4y2Ba	@90% ipn < 5,0gydF4y2Ba	μsgydF4y2Ba
ҚуаттытұтынуgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba	@ + 15 v < 23gydF4y2Ba	妈gydF4y2Ba
ҚуаттытұтынуgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba	@-15V < 4、5gydF4y2Ba	妈gydF4y2Ba
ӨткізуқабілетіgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba	千赫gydF4y2Ba
ОқшаулаукернеуіgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_dgydF4y2Ba	@50/60Гц， 1мин， айнымалы，1,5мА 4,0gydF4y2Ba	KVgydF4y2Ba

СақинатүріЭлектрлікдеректер:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

ПараметрgydF4y2Ba		MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba	mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba	БірлікgydF4y2Ba
БағаланғанкірісgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba	50gydF4y2Ba	One hundred.gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	300gydF4y2Ba	400gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ӨлшеудиапазоныgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba	0 ~±50gydF4y2Ba	0 ~±100gydF4y2Ba	0 ~±200gydF4y2Ba	0 ~±300gydF4y2Ba	0 ~±400gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ШығукернеуіgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba			2500±2 0 *(我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba/我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ШығукернеуіgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		2.500gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ЖүктемегетөзімділікgydF4y2Ba	RgydF4y2Ba_lgydF4y2Ba			> 2gydF4y2Ba			KΩgydF4y2Ba
ҚоректендірукернеуіgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba			+ 12 0±5%gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ДәлдікgydF4y2Ba	XgydF4y2Ba_GgydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba			％gydF4y2Ba
АуыстырукернеуіgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba		<±25gydF4y2Ba			mVgydF4y2Ba
V температураның өзгеруіgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_不gydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba			мВ/℃gydF4y2Ba
Гистерезистің ауытқу ке е неу уgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_哦gydF4y2Ba	@IP = 0, 1 * IPNкейінgydF4y2Ba		<±20gydF4y2Ba			mVgydF4y2Ba
СызықтыққатеgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba			< 1 0gydF4y2Ba			% FSgydF4y2Ba
/дидтgydF4y2Ba				> 100gydF4y2Ba			A /µ年代gydF4y2Ba
Жауап бе е у уақытыgydF4y2Ba	траgydF4y2Ba	@90%互gydF4y2Ba		< 3,0gydF4y2Ba			мксgydF4y2Ba
ҚуаттытұтынуgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_CgydF4y2Ba			15gydF4y2Ba			妈gydF4y2Ba
ӨткізуқабілетіgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB,互gydF4y2Ba		dc = 20gydF4y2Ba			千赫gydF4y2Ba
ОқшаулаукернеуіgydF4y2Ba	VdgydF4y2Ba	@50/60Гц， 1мин， айнымалы токgydF4y2Ba		2.5gydF4y2Ba			KVgydF4y2Ba

Жалпыдеректер:gydF4y2Ba

参数ПараметрgydF4y2Ba	符号СимволgydF4y2Ba	数值МәнgydF4y2Ba	单位单位gydF4y2Ba
ЖұмыстемпературасыgydF4y2Ba	TgydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}	-40 ~ +85gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
СақтаутемпературасыgydF4y2Ba	TsgydF4y2Ba	-55 ~ + 125gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
СалмағыgydF4y2Ba	米gydF4y2Ba	70gydF4y2Ba	ggydF4y2Ba
ПластикалықматериалgydF4y2Ba	PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
СтандарттарgydF4y2Ba	IEC60950-1:2001gydF4y2Ba
	EN50178:1998gydF4y2Ba
	sj20790 - 2000gydF4y2Ba

Өлшемдері(мм):gydF4y2Ba

Ескертулер:gydF4y2Ba

1,Өлшенетінтоксенсордыңнегізгіістікшесіарқылыөтетінкезде,кернеушығыссоңындаөлшенеді。(Ескертпе:жалғансымдарсенсордыңзақымдалуынаәкелуімүмкін)。gydF4y2Ba

2,әртүрліноминалдыкірістогыменшығыскернеуіндегітапсырысбойыншадизайнқолжетімді。gydF4y2Ba

3,Динамикалықөнімділікбастапқытесіктолығыментолтырылғанкездееңжақсыболады;gydF4y2Ba

4、Бастапқы өткізгіш <100°c болуы керек;gydF4y2Ba

ТікбұрыштытүріЭлектрлікдеректер:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

ПараметрgydF4y2Ba		MLRHgydF4y2Ba-200年А/ 2ВgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 600А/ 2ВgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 800А/ 2ВgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 1000А/ 2ВgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 1200А/ 2ВgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 2000А/ 2ВgydF4y2Ba	БірлікgydF4y2Ba
БағаланғанкірісgydF4y2Ba	互gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	600gydF4y2Ba	800gydF4y2Ba	1000gydF4y2Ba	1200gydF4y2Ba	2000gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ӨлшеудиапазоныgydF4y2Ba	知识产权gydF4y2Ba	0 ~±200gydF4y2Ba	0 ~±600gydF4y2Ba	0 ~±800gydF4y2Ba	0 ~±1000gydF4y2Ba	0 ~±1200gydF4y2Ba	0 ~±2000gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ШығукернеуіgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba			2500±2 0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ШығукернеуіgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		2.500gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ЖүктемегетөзімділікgydF4y2Ba	RLgydF4y2Ba			> 2gydF4y2Ba				KΩgydF4y2Ba
ҚоректендірукернеуіgydF4y2Ba	风投gydF4y2Ba			+ 12 0±5%gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ДәлдікgydF4y2Ba	XGgydF4y2Ba	@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba				％gydF4y2Ba
АуыстырукернеуіgydF4y2Ba	小海湾gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		<±25gydF4y2Ba				mVgydF4y2Ba
欢迎температуралық ауытқуыgydF4y2Ba	ДауысберуgydF4y2Ba	@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba		<±1,0gydF4y2Ba				мВ/℃gydF4y2Ba
Гистерезистің ауытқу ке е неу уgydF4y2Ba	VOHgydF4y2Ba	@IP = 0, 1 * IPNкейінgydF4y2Ba		<±20gydF4y2Ba				mVgydF4y2Ba
СызықтыққатеgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba			< 1 0gydF4y2Ba				% FSgydF4y2Ba
/дидтgydF4y2Ba				> 100gydF4y2Ba				A /µ年代gydF4y2Ba
Жауап бе е у уақытыgydF4y2Ba	траgydF4y2Ba	@90%互gydF4y2Ba		< 7日0gydF4y2Ba				мксgydF4y2Ba
ҚуаттытұтынуgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba			15gydF4y2Ba				妈gydF4y2Ba
ӨткізуқабілетіgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB,互gydF4y2Ba		dc = 20gydF4y2Ba				千赫gydF4y2Ba
ОқшаулаукернеуіgydF4y2Ba	VdgydF4y2Ba	@50/60Гц， 1мин， айнымалы токgydF4y2Ba		6．0gydF4y2Ba				KVgydF4y2Ba

Жалпыдеректер:gydF4y2Ba

参数ПараметрgydF4y2Ba	符号СимволgydF4y2Ba	数值МәнgydF4y2Ba	单位单位gydF4y2Ba
ЖұмыстемпературасыgydF4y2Ba	助教gydF4y2Ba	-40 ~ +85gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
СақтаутемпературасыgydF4y2Ba	TsgydF4y2Ba	-55 ~ + 125gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
СалмағыgydF4y2Ba	米gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	ggydF4y2Ba
ПластикалықматериалgydF4y2Ba	PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
СтандарттарgydF4y2Ba	IEC60950-1:2001gydF4y2Ba
	EN50178:1998gydF4y2Ba
	sj20790 - 2000gydF4y2Ba