Өніматауы | ПХДорнатуТоктүріндегікернеу/потенциалтрансформаторыPT |
P / N | mlvc - 2144 |
Орнатуәдісі | ПХДорнатылған |
Rбелгіленген кіріс тогы | 2мА/ 2мА |
高压测试сынағы | 3000В-4000В/ 1мА1мин |
тұрақты ток кедергісі | 电阻/ 100 mОм |
Негізгіматериал | Ультра кристалды д д о |
Дәлдік | 0 1 0 2 0 5 |
Жүктемегетөзімділік | 20Ω, 50Ω, 100Ω |
Оқшаулауғатөзімділік | ≥500Ω(500伏直流电) |
Оқшаулау кернеуіне төзімді | 4КВ/ 1мА/ 60С |
Жұмысжиілігі | 50 - 400Гц |
Жұмыстемпературасы | -25℃~ +75℃немес -40℃~ +95℃ |
Оқшаулау | Эпоксидті а р қапталған |
Сыртқыкорпус | Жалынға төзімді PBT |
一个қолдану | Кернеудіоқшаулаудыөлшеу、қуаттыкомпенсацияла,умикрокомпьютердіқорғау,токтыөлшеу,дәлдікқуатөлшегіш,Құралжәнесенсорлар |
Көлемі бо о а а
Әртүрліконфигурацияжәнешығыссипаттамалары,теңшелгенөнімдерқұпталады
Жоғарыдәлдік
Нанокристалдықядро
Өте жоғары сызықтық
ПХД орнатылған, р поксидт а р қапталған
Бүкіл диапазондағы тама а сызықтық
Номиналды кіріс және шығыс | Ағымдағыкоэффициент | Дәлдіккласы | Жүктемегетөзімділік | Жиілік |
2мА/ 2мА | 1000:1000 | 0,1 немесе 0,2 | ≤150 | 50 - 400Гц |
2мА/ 2мА | 1000:1000 | 0,1 немесе 0,2 | ≤150 | 50 - 400Гц |
1ммА/ 1А2ммА/ 2А | 1000:1000 | 0,1 немесе 0,2 | ≤500 | 50 - 400Гц |
2мА/ 2мА | 1000:1000 | 0,1 немесе 0,2 | ≤200 | 50 - 400Гц |