ഫെ-ബേസ്ഡ്1k107നാനോക്രിസ്റ്റലിൻറിബൺ
വിവരണം
| ഉത്പന്നത്തിന്റെപേര് | ഫെ-ബേസ്ഡ്1k107നാനോക്രിസ്റ്റലിൻറിബൺ |
| പി/എൻ | mlnr - 2132 |
| വീതിയുള്ളth | 5 - 65മി。മീ |
| തിഅസുഖം | 保险μm |
| സാച്ചുറേഷൻകാന്തികഇൻഡക്ഷൻ | 1.25 Bs (T) |
| നിർബന്ധം | 1.5 Hc (A/m) |
| പ്രതിരോധശേഷി | 1.20(μΩ·米) |
| മാഗ്നെറ്റോസ്ട്രിക്ഷൻകോഫിഫിഷ്യന്റ് | 1 λs (ppm) |
| ക്യൂറിതാപനില | 570 Tc(℃) |
| ക്രിസ്റ്റലൈസേഷൻതാപനില | 500 Tx(℃) |
| സാന്ദ്രത | 7.2 ρ (g/cm3) |
| കാഠിന്യം | 880 |
| താപവികാസഗുണകം | 7.6 |
അപേക്ഷ
●പവർസപ്ലൈട്രാൻസ്ഫോർമറുകളുംപൾസ്ട്രാൻസ്ഫോർമർകോറുകളുംസ്വിച്ചുചെയ്യുന്നു
●പവർട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ,പ്രിസിഷൻകറന്റ്ട്രാൻസ്ഫോർമർകോറുകൾ
●ചോർച്ചസംരക്ഷണസ്വിച്ച്ട്രാൻസ്ഫോർമർഇരുമ്പ്കോർ
●ഫിൽട്ടർഇൻഡക്ടറുകൾ,എനർജിസ്റ്റോറേജ്ഇൻഡക്ടറുകൾ,റിയാക്ടർകോറുകൾ
●emcകോമൺമോഡുംഡിഫറൻഷ്യൽമോഡ്ഇൻഡക്ടർകോർ
●സാച്ചുറേഷൻറിയാക്ടറുകൾ,കാന്തികആംപ്ലിഫയറുകൾ,സ്പൈക്ക്സപ്രസ്സർകോറുകൾ,കാന്തികമുത്തുകൾ
സവിശേഷതകൾ
Fe -അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളനാനോക്രിസ്റ്റലിൻമെറ്റീരിയലുകൾപരമ്പരാഗതമെറ്റീരിയലുകളേക്കാൾമികച്ചതാണ്,നിങ്ങളുടെആപ്ലിക്കേഷന്റെഏറ്റവുംമികച്ചപരിഹാരമായിരിക്കുംഇത്(ചിത്രം1.1)。
ചിത്രം1.1μrവ്യത്യസ്തമൃദുകാന്തികപദാർത്ഥങ്ങളുടെBs
●ചെറിയഅളവുകൾക്കുംഉയർന്നകൃത്യതയ്ക്കുംഉയർന്നസാച്ചുറേഷൻമാഗ്നറ്റിക്ഇൻഡക്ഷനും(1.25 T)ഉയർന്നകാന്തികപ്രവേശനക്ഷമതയും(> 80000)
●100 kHZ, 300吨യിൽ70 W /公斤വരെകുറഞ്ഞനഷ്ടത്തോടെ,ഇരുമ്പ്അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളരൂപരഹിതമായ1/5ന്തുല്യമായകോർനഷ്ടം
●സാച്ചുറേഷൻമാഗ്നെറ്റോസ്ട്രിക്ഷൻകോഫിഫിഷ്യന്റ്0 -ന്അടുത്ത്,വളരെകുറഞ്ഞപ്രവർത്തനശബ്ദം
●മികച്ചതാപനിലസ്ഥിരത,< 10%താപനിലപരിധിയിൽ-50മുതൽ120ഡിഗ്രിസെൽഷ്യസ്വരെമെറ്റീരിയൽഗുണങ്ങളിൽമാറ്റം
●വിശാലമായഫ്രീക്വൻസിശ്രേണിയിൽമികച്ചപെർമാസബിലിറ്റിയുംകുറഞ്ഞനഷ്ടവുംഉള്ളമികച്ചഫ്രീക്വൻസിസവിശേഷതകൾ
●ക്രമീകരിക്കാവുന്നകാന്തികഗുണങ്ങളോടെ,വ്യത്യസ്തതിരശ്ചീനവുംലംബവുമായകാന്തികമണ്ഡലങ്ങൾപ്രയോഗിച്ചുകൊണ്ടോഅല്ലെങ്കിൽകാന്തികക്ഷേത്രഹീറ്റ്ട്രീറ്റ്മെന്റില്ലാതെയോ,കുറഞ്ഞപുനർനിർമ്മാണം,ഉയർന്നചതുരാകൃതിയിലുള്ളഅനുപാതം,ഉയർന്നകാന്തികപ്രവേശനക്ഷമതഎന്നിവഉപയോഗിച്ച്വ്യത്യസ്തതരംകാന്തികഗുണങ്ങൾലഭിക്കും。
മെറ്റീരിയൽതാരതമ്യം
| ഫെറൈറ്റ്കോറുമായിഫെഅടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളനാനോക്രിസ്റ്റലിൻറിബണിന്റെപ്രകടനതാരതമ്യം | ||
അടിസ്ഥാനപാരാമീറ്ററുകൾ |
നാനോക്രിസ്റ്റലിൻറിബൺ |
ഫെറൈറ്റ്കോർ |
| സാച്ചുറേഷൻമാഗ്നറ്റിക്ഇൻഡക്ഷൻb (T) | 1．25 |
0．5 |
| ശേഷിക്കുന്നകാന്തികഇൻഡക്ഷൻBr (T)(20KHz) | ജ0.2 | 0.2 |
| പ്രധാനനഷ്ടങ്ങൾ(20KHz/0.2T)(W/kg) | 3.4 | 7．5 |
| പ്രധാനനഷ്ടങ്ങൾ(20KHz/0.5T)(W/kg) | 35 | ഉപയോഗിക്കാൻകഴിയില്ല |
| പ്രധാനനഷ്ടങ്ങൾ(50KHz/0.3T)(W/kg) | 40 | ഉപയോഗിക്കാൻകഴിയില്ല |
| കാന്തികചാലകത(20KHz) (g /Oe) | 20000 | 2000 |
| നിർബന്ധിതശക്തിHc (A/m) | 2．0 | 6 |
| പ്രതിരോധശേഷി(mW-cm) | ജെ2 | 4 |
| പൂരിതമാഗ്നെറ്റോസ്ട്രിക്ഷൻകോഫിഫിഷ്യന്റ്(x10-6） | 400 | 740 |
| പ്രതിരോധശേഷി(mW-cm) | 80 | 106 |
| ക്യൂറിതാപനില | > 0.7 | - |
