英语gydF4y2Ba

霍尔效应电流传感器分芯换能器gydF4y2Ba

P / N: mlrh - 2147gydF4y2Ba

Одоо ла а а а уgydF4y2Ba ДараагийнбүтээгдэхүүнgydF4y2Ba

БүтээгдэхүүнийдэлгэрэнгүйgydF4y2Ba

БүтээгдэхүүнийшошгоgydF4y2Ba

ТодорхойлолтgydF4y2Ba

БүтээгдэхүүнийнэрgydF4y2Ba	霍尔效应电流传感器分芯换能器gydF4y2Ba
P / NgydF4y2Ba	mlrh - 2147gydF4y2Ba
АнхдагчgydF4y2Ba	А20/50/100/200А/ 300А/ 400gydF4y2Ba
ГаралтынхүчдэлgydF4y2Ba	Нэг цахилгаан 2.5±2vgydF4y2Ba
ХосхүчgydF4y2Ba	Хос хүч 0±4vgydF4y2Ba
Тусгаарлагчийн хүчдэлийг т т с с с с с л л к кgydF4y2Ba	3КВ/ 1минgydF4y2Ba
ҮйлдлийндавтамжgydF4y2Ba	50 - 60ГцgydF4y2Ba
ҮйлдлийнтемпературgydF4y2Ba	-40℃~ +85℃gydF4y2Ba
ТусгаарлагчgydF4y2Ba	Эпокси давирхайг бүрхсэнgydF4y2Ba
ГаднаххайрцагgydF4y2Ba	Галд т т т с с т т т т PBTgydF4y2Ba
一个gydF4y2BaхэрэглээgydF4y2Ba	Хувьсахдавтамжийнцахилгаанхэрэгсэ,линвертер,хувьсаххурдныхөтөчgydF4y2Ba Шилжүүлэгчгоримынтэжээлийнхангамж(smp),тасалдалгүйтэжээлийнхангамж(UPS),gydF4y2Ba

ОнцлогуудgydF4y2Ba

ХялбарсуурилуулалтgydF4y2Ba

ЦонхныбүтэцgydF4y2Ba

Цахилгаан за аа， са аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа аа са ааgydF4y2Ba

ОдоогийнүнэлгээнийөргөнхүрээнийзөвхөннэгзагварgydF4y2Ba

Гадны нөлөөнд т т т с с с т т т т т өндөрgydF4y2Ba

Оруулсан алда а д л байхгүйgydF4y2Ba

Хос з и им хүчний танхимын одоо о и и мэдрэгчgydF4y2Ba

Цахилгаан өгөгдөл (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba

ҮнэлгээтэйоролтgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba	20/50/100gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ХэмжиххүрээgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba	±30 /±75±150gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ГаралтынхүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_ogydF4y2Ba	±4.0 *(我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba/我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba
АчааллынэсэргүүцэлgydF4y2Ba	RgydF4y2Ba_lgydF4y2Ba	＞10gydF4y2Ba	KΩgydF4y2Ba
НийлүүлэлтийнхүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba	(±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba
НарийвчлалgydF4y2Ba	XgydF4y2Ba_GgydF4y2Ba	@ipn, t =25°c <±1.0gydF4y2Ba	％gydF4y2Ba
ОфсетхүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	@ip =0, t =25°c <±25gydF4y2Ba	mVgydF4y2Ba
Температурын хэлбэлзэлgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_不gydF4y2Ba	@ip =0，-40 ~ +85°c <±1.0/gydF4y2Ba <±0.5/<±0.5gydF4y2Ba	мВ/℃gydF4y2Ba
Температурын хэлбэлзэлgydF4y2Ba_OgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_{操作系统gydF4y2Ba}	@ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2.5gydF4y2Ba	％gydF4y2Ba
Гистерезийн офсе хүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_哦gydF4y2Ba	@ip =0,1* ipn <±25- н да ааgydF4y2Ba	mVgydF4y2Ba
Шугаман ба а - дл - л - аgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba	< 1.0gydF4y2Ba	% FSgydF4y2Ba
/дидтgydF4y2Ba		> 100gydF4y2Ba	一个/μsgydF4y2Ba
ХариуцагgydF4y2Ba	траgydF4y2Ba	@90% ipn < 5.0gydF4y2Ba	μsgydF4y2Ba
Эрчим хүчний хэрэглээgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba	@ + 15 v < 23gydF4y2Ba	妈gydF4y2Ba
Эрчим хүчний хэрэглээgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba	@-15V < 4.5gydF4y2Ba	妈gydF4y2Ba
Дамжуулах з з с ас с н өргөнgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba	ХЗgydF4y2Ba
ТусгаарлагчийнхүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_dgydF4y2Ba	@50/60Гц， 1ми ин， хувьсах гүйдэл， 1.5мА 4.0gydF4y2Ba	KVgydF4y2Ba

БөгжнийтөрөлЦахилгаанөгөгдөл:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

ПараметрgydF4y2Ba		MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba	mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba	mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba	НэгжgydF4y2Ba
ҮнэлгээтэйоролтgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba	50gydF4y2Ba	One hundred.gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	300gydF4y2Ba	400gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ХэмжиххүрээgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba	0 ~±50gydF4y2Ba	0 ~±100gydF4y2Ba	0 ~±200gydF4y2Ba	0 ~±300gydF4y2Ba	0 ~±400gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ГаралтынхүчдэлgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba			2.500±2.0 *(我gydF4y2Ba_PgydF4y2Ba/我gydF4y2Ba_PNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
ГаралтынхүчдэлgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		2.500gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
АчааллынэсэргүүцэлgydF4y2Ba	RgydF4y2Ba_lgydF4y2Ba			> 2gydF4y2Ba			KΩgydF4y2Ba
НийлүүлэлтийнхүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba			+ 12.0±5%gydF4y2Ba			VgydF4y2Ba
НарийвчлалgydF4y2Ba	XgydF4y2Ba_GgydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba		<±1.0gydF4y2Ba			％gydF4y2Ba
ОфсетхүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba		<±25gydF4y2Ba			mVgydF4y2Ba
Температурын хэлбэлзэлgydF4y2Ba_OEgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_不gydF4y2Ba	@IgydF4y2Ba_PgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba		<±1.0gydF4y2Ba			мВ/℃gydF4y2Ba
Гистерезийн офсе хүчдэлgydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_哦gydF4y2Ba	@IP = 0, 1 * IPN -ийндарааgydF4y2Ba		<±20gydF4y2Ba			mVgydF4y2Ba
Шугаман ба а - дл - л - аgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba			< 1.0gydF4y2Ba			% FSgydF4y2Ba
/дидтgydF4y2Ba				> 100gydF4y2Ba			A /µ年代gydF4y2Ba
ХариуцагgydF4y2Ba	траgydF4y2Ba	@ ipn -и 90%gydF4y2Ba		< 3.0gydF4y2Ba			μsgydF4y2Ba
Эрчим хүчний хэрэглээgydF4y2Ba	我gydF4y2Ba_CgydF4y2Ba			15gydF4y2Ba			妈gydF4y2Ba
Дамжуулах з з с ас с н өргөнgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB,互gydF4y2Ba		dc = 20gydF4y2Ba			ХЗgydF4y2Ba
ТусгаарлагчийнхүчдэлgydF4y2Ba	VdgydF4y2Ba	@50/60Гц， 1мин， хувьсахgydF4y2Ba		2.5gydF4y2Ba			KVgydF4y2Ba

Ерөнхийөгөгдөл:gydF4y2Ba

参数ПараметрgydF4y2Ba	符号Бэлгэ тэмдэгgydF4y2Ba	数值Үнэ цэнэgydF4y2Ba	单位НэгжgydF4y2Ba
ҮйлдлийнтемпературgydF4y2Ba	TgydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}	-40 ~ +85gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
АгуулахынтемпературgydF4y2Ba	TsgydF4y2Ba	-55 ~ + 125gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
ЖинgydF4y2Ba	米gydF4y2Ba	70gydF4y2Ba	ggydF4y2Ba
ХуванцарматериалgydF4y2Ba	PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
СтандартуудgydF4y2Ba	IEC60950-1:2001gydF4y2Ba
	EN50178:1998gydF4y2Ba
	sj20790 - 2000gydF4y2Ba

Хэмжээ(мм):gydF4y2Ba

Тайлбар:gydF4y2Ba

1,Мэдрэгчийнүндсэнзүүгээрдамжихгүйдлийгхэмжихүедгаралтынтөгсгөлдхүчдэлийгхэмжинэ。(Тэмдэглэл:Хуурамчутасньмэдрэгчийггэмтээжболзошгүй)。gydF4y2Ba

2,Өөрөөрнэрлэсэноролтынгүйдэлбагаралтынхүчдэлдзахиалгатзагвархийхболомжтой。gydF4y2Ba

3,Анханшатнынүхийгбүрэндүүргэхүеддинамикгүйцэтгэлньхамгийнсайн;gydF4y2Ba

4、Үндсэн дамжуулагч н <100°c ба сто к;gydF4y2Ba

Тэгшөнцөгтхэлбэрийнцахилгаанөгөгдөл:(Ta = 25°C Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba

ПараметрgydF4y2Ba		MLRHgydF4y2Ba-200年А/ 2ВgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba	MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba	НэгжgydF4y2Ba
ҮнэлгээтэйоролтgydF4y2Ba	互gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	600gydF4y2Ba	800gydF4y2Ba	1000gydF4y2Ba	1200gydF4y2Ba	2000gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ХэмжиххүрээgydF4y2Ba	知识产权gydF4y2Ba	0 ~±200gydF4y2Ba	0 ~±600gydF4y2Ba	0 ~±800gydF4y2Ba	0 ~±1000gydF4y2Ba	0 ~±1200gydF4y2Ba	0 ~±2000gydF4y2Ba	一个gydF4y2Ba
ГаралтынхүчдэлgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba			2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
ГаралтынхүчдэлgydF4y2Ba	签证官gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		2.500gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
АчааллынэсэргүүцэлgydF4y2Ba	RLgydF4y2Ba			> 2gydF4y2Ba				KΩgydF4y2Ba
НийлүүлэлтийнхүчдэлgydF4y2Ba	风投gydF4y2Ba			+ 12.0±5%gydF4y2Ba				VgydF4y2Ba
НарийвчлалgydF4y2Ba	XGgydF4y2Ba	@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba		<±1.0gydF4y2Ba				％gydF4y2Ba
ОфсетхүчдэлgydF4y2Ba	小海湾gydF4y2Ba	@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba		<±25gydF4y2Ba				mVgydF4y2Ba
Voe -и и и н темпе т ат и н өөрчлөлтgydF4y2Ba	САНАЛgydF4y2Ba	@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba		<±1.0gydF4y2Ba				мВ/℃gydF4y2Ba
Гистерезийн офсе хүчдэлgydF4y2Ba	VOHgydF4y2Ba	@IP = 0, 1 * IPN -ийндарааgydF4y2Ba		<±20gydF4y2Ba				mVgydF4y2Ba
Шугаман ба а - дл - л - аgydF4y2Ba	εrgydF4y2Ba			< 1.0gydF4y2Ba				% FSgydF4y2Ba
/дидтgydF4y2Ba				> 100gydF4y2Ba				A /µ年代gydF4y2Ba
ХариуцагgydF4y2Ba	траgydF4y2Ba	@ ipn -и 90%gydF4y2Ba		< 7.0gydF4y2Ba				μsgydF4y2Ba
Эрчим хүчний хэрэглээgydF4y2Ba	集成电路gydF4y2Ba			15gydF4y2Ba				妈gydF4y2Ba
Дамжуулах з з с ас с н өргөнgydF4y2Ba	BWgydF4y2Ba	@-3dB,互gydF4y2Ba		dc = 20gydF4y2Ba				ХЗgydF4y2Ba
ТусгаарлагчийнхүчдэлgydF4y2Ba	VdgydF4y2Ba	@50/60Гц， 1мин， хувьсахgydF4y2Ba		6．0gydF4y2Ba				KVgydF4y2Ba

Ерөнхийөгөгдөл:gydF4y2Ba

参数ПараметрgydF4y2Ba	符号Бэлгэ тэмдэгgydF4y2Ba	数值Үнэ цэнэgydF4y2Ba	单位НэгжgydF4y2Ba
ҮйлдлийнтемпературgydF4y2Ba	助教gydF4y2Ba	-40 ~ +85gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
АгуулахынтемпературgydF4y2Ba	TsgydF4y2Ba	-55 ~ + 125gydF4y2Ba	°CgydF4y2Ba
ЖинgydF4y2Ba	米gydF4y2Ba	200gydF4y2Ba	ggydF4y2Ba
ХуванцарматериалgydF4y2Ba	PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba
СтандартуудgydF4y2Ba	IEC60950-1:2001gydF4y2Ba
	EN50178:1998gydF4y2Ba
	sj20790 - 2000gydF4y2Ba