传感器de corriente de efecto霍尔传感器núcleo dididogydF4y2Ba
DescripciongydF4y2Ba
| Nombre del productogydF4y2Ba | 传感器de corriente de efecto霍尔传感器núcleo dididogydF4y2Ba |
| N / PgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
| Corriente名义初级gydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
| Tensión de salidagydF4y2Ba | Energía única 2.5±2VgydF4y2Ba |
| 快可以gydF4y2Ba | 双电位0±4VgydF4y2Ba |
| Tensión伊斯兰之声gydF4y2Ba | 3 kv / 1 minutogydF4y2Ba |
| operacióngydF4y2Ba | 50-60HzgydF4y2Ba |
| 功能温度gydF4y2Ba | -40℃~ +85℃gydF4y2Ba |
| AislamientogydF4y2Ba | 环氧树脂包封gydF4y2Ba |
| 储蓄银行外gydF4y2Ba | PBT ignifugogydF4y2Ba |
| 一个gydF4y2BaaplicaciongydF4y2Ba | Aparatos eléctricos变频器变频器变频器变频器AC/DCgydF4y2Ba Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)， Fuentes de alimentación interrumpida (UPS)，gydF4y2Ba |
CaracteristicasgydF4y2Ba
Facil instalaciongydF4y2Ba
ventana的结构gydF4y2Ba
再见，再见energía，再见gydF4y2Ba
独唱diseño对我们的名义和价值的影响gydF4y2Ba
外来干涉gydF4y2Ba
罪恶pérdidas德insercióngydF4y2Ba
Sensor de corriente Hall de double potentialgydF4y2Ba
Datos eléctricos (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba
| Entrada名义gydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | 20/50/100gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| 兰戈·德medicióngydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±30 /±75±150gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| Tensión de salidagydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| 莱斯滕西亚德卡加gydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | ＞10gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
| Tensión de alimentacióngydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| 精度gydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @IPN，温度= 25°C <±1,0gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| 伏尔泰gydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| Variación温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0，-40 ~ +85°c <±1.0/gydF4y2Ba <±0,5/<±0,5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
| Variación温度VgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| 伏尔泰耶德compensación德histéresisgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @IP=0,después de 1*IPN <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| linealidad错误gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba | < 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
| Di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
| 时间gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba | @90% de IPN < 5.0gydF4y2Ba | 女士gydF4y2Ba |
| El consumo de energíagydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
| @-15V < 4.5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
| 班达粗gydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
| Tensión de aislamientogydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60 Hz, 1分钟，CA, 1,5 mA 4,0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
Datos eléctricos del tipo de anillo:(Ta = 25°C, Vc = + 12,0 V CC, RL = 2 KΩ)gydF4y2Ba
ParametrogydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
失去gydF4y2Ba |
|
| Entrada名义gydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
One hundred.gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
300gydF4y2Ba |
400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| 兰戈·德medicióngydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
0 ~±50gydF4y2Ba |
0 ~±100gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±300gydF4y2Ba |
0 ~±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| Tensión de salidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| Tensión de salidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
| 莱斯滕西亚德卡加gydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
| Tensión de alimentacióngydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| 精度gydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
|||
| 伏尔泰gydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| Variación温度VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
| 伏尔泰耶德compensación德histéresisgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@IP=0,después de 1*IPNgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| linealidad错误gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
| Di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
| 时间gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@90% de IPNgydF4y2Ba | < 3.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
|||
| El consumo de energíagydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
| 班达粗gydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
| Tensión de aislamientogydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1分钟，CAgydF4y2Ba | 2.5gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
|||
与一般:gydF4y2Ba
| 参数ParámetrogydF4y2Ba | 符号SímbologydF4y2Ba |
英勇gydF4y2Ba |
失去gydF4y2Ba |
| 功能温度gydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
ºCgydF4y2Ba |
| 温度gydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
ºCgydF4y2Ba |
| 比索gydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| 塑料材料gydF4y2Ba | PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba |
||
| EstandaresgydF4y2Ba | CEI60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
尺寸(毫米):gydF4y2Ba
Observaciones:gydF4y2Ba
1, cuando la corriente se medirá pasa por el pin principal de UN sensor, el voltaje se medirá en el extremo de salida。(注:el cableado falso puede dañar el传感器)。gydF4y2Ba
2, el diseño在不同的名义间的个人关系和el voltaje de salida están disponibles。gydF4y2Ba
3、上帝的祝福dinámico上帝的祝福está上帝的祝福;gydF4y2Ba
4、el导体初级厚度<100°C;gydF4y2Ba
Datos eléctricos de tipo矩形:(Ta = 25°C, Vc = + 12,0 V CC, RL = 2 KΩ)gydF4y2Ba
ParametrogydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
失去gydF4y2Ba |
|
| Entrada名义gydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
600gydF4y2Ba |
800gydF4y2Ba |
1000gydF4y2Ba |
1200gydF4y2Ba |
2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| 兰戈·德medicióngydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
0 ~±200gydF4y2Ba |
0 ~±600gydF4y2Ba |
0 ~±800gydF4y2Ba |
0 ~±1000gydF4y2Ba |
0 ~±1200gydF4y2Ba |
0 ~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| Tensión de salidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| Tensión de salidagydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| 莱斯滕西亚德卡加gydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
| Tensión de alimentacióngydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| 精度gydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
||||
| 伏尔泰gydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| Variación de VOE温度gydF4y2Ba | 这座gydF4y2Ba |
@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
| 伏尔泰耶德compensación德histéresisgydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@IP=0,después de 1*IPNgydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| linealidad错误gydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1.0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
| Di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
| 时间gydF4y2Ba | 交易gydF4y2Ba |
@90% de IPNgydF4y2Ba | < 7日0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
||||
| El consumo de energíagydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
| 班达粗gydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
| Tensión de aislamientogydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz, 1分钟，CAgydF4y2Ba | 6．0gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
||||
与一般:gydF4y2Ba
| 参数ParámetrogydF4y2Ba | 符号SímbologydF4y2Ba |
英勇gydF4y2Ba |
失去gydF4y2Ba |
| 功能温度gydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
ºCgydF4y2Ba |
| 温度gydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
ºCgydF4y2Ba |
| 比索gydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| 塑料材料gydF4y2Ba | PBT G30 / G15 UL94-V0;gydF4y2Ba |
||
| EstandaresgydF4y2Ba | CEI60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
尺寸(毫米):gydF4y2Ba
Observaciones:gydF4y2Ba
1, cuando la corriente se medirá pasa por el pin principal de UN传感器，el voltaje serágydF4y2Ba
医生，极端的唾液。(注:el cableado falso puede dañar el传感器)。gydF4y2Ba
2, el diseño在不同的名义间的个人关系和el voltaje de salida están disponibles。gydF4y2Ba
3、上帝的祝福dinámico上帝的祝福está上帝的祝福;gydF4y2Ba
4、el导体初级厚度<100°C;gydF4y2Ba
