ТрансдуцерсораздвојувањенајадротонасензоротзаструјасоефектнасалаgydF4y2Ba
ОписgydF4y2Ba
| Име на п о оиз одgydF4y2Ba | ТрансдуцерсораздвојувањенајадротонасензоротзаструјасоефектнасалаgydF4y2Ba |
| P / NgydF4y2Ba | mlrh - 2147gydF4y2Ba |
| Примарна номинална ст с с а аgydF4y2Ba | 20/50/100/200A / 300 a / 400 agydF4y2Ba |
| ИзлезеннапонgydF4y2Ba | Единечна моќност 2,5±2vgydF4y2Ba |
| ДвојнамоќностgydF4y2Ba | Двојна моќност 0±4vgydF4y2Ba |
| Изолација издржи напонgydF4y2Ba | 3 kv / 1минgydF4y2Ba |
| РаботнафреквенцијаgydF4y2Ba | 50 - 60赫兹gydF4y2Ba |
| РаботнатемператураgydF4y2Ba | -40℃~ +85℃gydF4y2Ba |
| ИзолацијаgydF4y2Ba | Капсулирана епоксидна смолаgydF4y2Ba |
| НадворешенслучајgydF4y2Ba | Заштитник на пламен PBTgydF4y2Ba |
| 一个gydF4y2BaапликацијаgydF4y2Ba | Електричниапаратисопроменливафреквенција,инвертер,AC / DCпогонсопроменливабрзинаgydF4y2Ba Напојувањавопрекиненрежим(smp),напојувањазанепрекинатонапојување(UPS),gydF4y2Ba |
КарактеристикиgydF4y2Ba
ЛеснаинсталацијаgydF4y2Ba
Структура на прозоре л орgydF4y2Ba
Нискапотрошувачканаенергиј,амногудобралинеарностgydF4y2Ba
СамоедендизајнзаширокопсегнарејтинзинаструјаgydF4y2Ba
Висок им и нит тет на на ад о о е ни пре т киgydF4y2Ba
Нема за а с с с с п с с ме е н с а а нgydF4y2Ba
Сензор за с с - с - с - с - с - о ос - на моќностgydF4y2Ba
Електрични подато и и (Ta=25ºC±5ºC)gydF4y2Ba
| ОценетвлезgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba | 20/50/100gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| МеренопсегgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba | ±30 /±75±150gydF4y2Ba | 一个gydF4y2Ba |
| ИзлезеннапонgydF4y2Ba | VgydF4y2BaogydF4y2Ba | ±4 0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| Отпорност на оптова а а еgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba | > 10gydF4y2Ba | KΩgydF4y2Ba |
| Напон на напо по с аgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba | (±12 ~±15)±5%gydF4y2Ba | VgydF4y2Ba |
| ТочностgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba | @IPN, T = 25°C <±1,0gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| ОфсетнапонgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | @IP = 0, T = 25°C <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| Температурна ва а и с а аgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba | @ip =0，-40 ~ +85°c <±1,0/gydF4y2Ba <±0 5 / <±0 5gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
| Температурна ва а и с а аgydF4y2BaOgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba操作系统gydF4y2Ba | @ip = ipn，-40 ~ +85°c <±2,5gydF4y2Ba | ％gydF4y2Ba |
| Хистерезис оф - сет на апонgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba | @ip =0，по 1* ipn <±25gydF4y2Ba | mVgydF4y2Ba |
| Грешка во о линеа ностаgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba | < 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
| di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | 一个/μsgydF4y2Ba | |
| Време на од о о орgydF4y2Ba | траgydF4y2Ba | @90% од ipn < 5,0gydF4y2Ba | μsgydF4y2Ba |
| Потрошувачка на енер р и с аgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba | @ + 15 v < 23gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba |
| @-15V < 4、5gydF4y2Ba | 妈gydF4y2Ba | ||
| ПропусенопсегgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba | @-3dB, IPN dc = 20gydF4y2Ba | 千赫gydF4y2Ba |
| Напон на изолаgydF4y2Ba | VgydF4y2BadgydF4y2Ba | @50/60Hz, 1 мин， AC, 1,5 mA 4,0gydF4y2Ba | KVgydF4y2Ba |
ТипнапрстенЕлектричниподатоци:(Ta = 25°C; Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba
ПараметарgydF4y2Ba |
MLRH-50A v / 2gydF4y2Ba |
mlrh 2 - 100 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 200 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 300 a / vgydF4y2Ba |
mlrh 2 - 400 a / vgydF4y2Ba |
ЕдиницаgydF4y2Ba |
|
| ОценетвлезgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba |
50gydF4y2Ba |
One hundred.gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
300gydF4y2Ba |
400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| МеренопсегgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaPgydF4y2Ba |
0，±50gydF4y2Ba |
0，±100gydF4y2Ba |
0，±200gydF4y2Ba |
0 ~±300gydF4y2Ba |
0，±400gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 *(我gydF4y2BaPgydF4y2Ba/我gydF4y2BaPNgydF4y2Ba）gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||
| Отпорност на оптова а а еgydF4y2Ba | RgydF4y2BalgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
||||
| Напон на напо по с аgydF4y2Ba | VgydF4y2BaCgydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| ТочностgydF4y2Ba | XgydF4y2BaGgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPNgydF4y2BaT = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
|||
| ОфсетнапонgydF4y2Ba | VgydF4y2BaOEgydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba= 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| Температурна ва а и с а аgydF4y2BaOEgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba不gydF4y2Ba |
@IgydF4y2BaPgydF4y2Ba=0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
|||
| Хистерезис оф - сет на апонgydF4y2Ba | VgydF4y2Ba哦gydF4y2Ba |
@ip =0， по 1* ipngydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
|||
| Грешка во о линеа ностаgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
||||
| di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
|||||
| Време на од о о орgydF4y2Ba | траgydF4y2Ba |
@90% од ipngydF4y2Ba | < 3.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
|||
| Потрошувачка на енер р и с аgydF4y2Ba | 我gydF4y2BaCgydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
||||
| ПропусенопсегgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
|||
| Напон на изолаgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz 1мин。、交流gydF4y2Ba | 2.5gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
|||
Општиподатоци:gydF4y2Ba
| 参数ПараметарgydF4y2Ba | 符号СимболgydF4y2Ba |
数值ВредностgydF4y2Ba |
单位ЕдиницаgydF4y2Ba |
| РаботнатемператураgydF4y2Ba | TgydF4y2Ba一个gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| Температура на ск кладираgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| ТежинаgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
70gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| ПластиченматеријалgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
| СтандардиgydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
(Димензиимм):gydF4y2Ba
Забелешки:gydF4y2Ba
1,Когаструјатаќесемерипоминуванизпримарниотпиннасензорот,напонотќесемеринаизлезниоткрај。(Забелешка:Лажнитежициможедарезултираатсооштетувањенасензорот)。gydF4y2Ba
2,Прилагодендизајнворазличнаноминалнавлезнаструјаиизлезеннапонседостапни。gydF4y2Ba
3,Динамичнитеперформансисенајдобрикогапримарнатадупкаецелосноисполнетасо;gydF4y2Ba
4、Примарниот проводник т еба да биде <100°c;gydF4y2Ba
ПравоаголентипЕлектричниподатоци:(Ta = 25°C; Vc = + 12.0 vdc, RL = 2 kΩ)gydF4y2Ba
ПараметарgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba-200 a / vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 600 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 800 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1000 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 1200 a / 2 vgydF4y2Ba |
MLRHgydF4y2Ba4 - 2000 a / 2 vgydF4y2Ba |
ЕдиницаgydF4y2Ba |
|
| ОценетвлезgydF4y2Ba | 互gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
600gydF4y2Ba |
800gydF4y2Ba |
1000gydF4y2Ba |
1200gydF4y2Ba |
2000年годинаgydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| МеренопсегgydF4y2Ba | 知识产权gydF4y2Ba |
0，±200gydF4y2Ba |
0，±600gydF4y2Ba |
0、±800gydF4y2Ba |
0 ~±1000gydF4y2Ba |
0、±1200gydF4y2Ba |
0 ~±2000gydF4y2Ba |
一个gydF4y2Ba |
| ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
2.500±2.0 * (IP / IPN)gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| ИзлезеннапонgydF4y2Ba | 签证官gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | 2.500gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
||||
| Отпорност на оптова а а еgydF4y2Ba | RLgydF4y2Ba |
> 2gydF4y2Ba |
KΩgydF4y2Ba |
|||||
| Напон на напо по с аgydF4y2Ba | 风投gydF4y2Ba |
+ 12 0±5%gydF4y2Ba |
VgydF4y2Ba |
|||||
| ТочностgydF4y2Ba | XGgydF4y2Ba |
@IPN, T = 25°CgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
％gydF4y2Ba |
||||
| ОфсетнапонgydF4y2Ba | 小海湾gydF4y2Ba |
@IP = 0, T = 25°CgydF4y2Ba | <±25gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| Температурна и а а и и а а а voegydF4y2Ba | ГЛАСАЊЕgydF4y2Ba |
@ip =0，-40 ~ +85°cgydF4y2Ba | <±1,0gydF4y2Ba |
mV /℃gydF4y2Ba |
||||
| Хистерезис оф - сет на апонgydF4y2Ba | VOHgydF4y2Ba |
@ip =0， по 1* ipngydF4y2Ba | <±20gydF4y2Ba |
mVgydF4y2Ba |
||||
| Грешка во о линеа ностаgydF4y2Ba | εrgydF4y2Ba |
< 1 0gydF4y2Ba | % FSgydF4y2Ba |
|||||
| di / dtgydF4y2Ba | > 100gydF4y2Ba | A /µ年代gydF4y2Ba |
||||||
| Време на од о о орgydF4y2Ba | траgydF4y2Ba |
@90% од ipngydF4y2Ba | < 7.0gydF4y2Ba | µ年代gydF4y2Ba |
||||
| Потрошувачка на енер р и с аgydF4y2Ba | 集成电路gydF4y2Ba |
15gydF4y2Ba |
妈gydF4y2Ba |
|||||
| ПропусенопсегgydF4y2Ba | BWgydF4y2Ba |
@-3dB,互gydF4y2Ba | dc = 20gydF4y2Ba |
千赫gydF4y2Ba |
||||
| Напон на изолаgydF4y2Ba | VdgydF4y2Ba |
@50/60Hz 1мин。、交流gydF4y2Ba | 6．0gydF4y2Ba |
KVgydF4y2Ba |
||||
Општиподатоци:gydF4y2Ba
| 参数ПараметарgydF4y2Ba | 符号СимболgydF4y2Ba |
数值ВредностgydF4y2Ba |
单位ЕдиницаgydF4y2Ba |
| РаботнатемператураgydF4y2Ba | 助教gydF4y2Ba |
-40 ~ +85gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| Температура на ск кладираgydF4y2Ba | TsgydF4y2Ba |
-55 ~ + 125gydF4y2Ba |
°CgydF4y2Ba |
| ТежинаgydF4y2Ba | 米gydF4y2Ba |
200gydF4y2Ba |
ggydF4y2Ba |
| ПластиченматеријалgydF4y2Ba | PBT g30 / g15, ul94 - v0;gydF4y2Ba |
||
| СтандардиgydF4y2Ba | IEC60950-1:2001gydF4y2Ba |
||
EN50178:1998gydF4y2Ba |
|||
sj20790 - 2000gydF4y2Ba |
|||
(Димензиимм):gydF4y2Ba
Забелешки:gydF4y2Ba
1,когаќесемериструјатапоминуванизпримарниотпиннасензорот,напонотќебидеgydF4y2Ba
Мерено на из злезнио о к с а。(Забелешка:Лажнитежициможедарезултираатсооштетувањенасензорот)。gydF4y2Ba
2,Прилагодендизајнворазличнаноминалнавлезнаструјаиизлезеннапонседостапни。gydF4y2Ba
3,динамичнитеперформансисенајдобрикогапримарнатадупкаецелосноисполнетасо;gydF4y2Ba
4、Примарниот проводник т еба да биде <100°c;gydF4y2Ba
Можно е р о ова а т с о опаgydF4y2Ba
-
МонтирањенаPCBТековеннапон/Потенцијаленпренос……gydF4y2Ba
-
Трифазен ком мбини а а а а с ст с ен т а ансф - о с матор з за Ел…gydF4y2Ba
-
СтруентрансформаторAC / DCтипначерупказамарш……gydF4y2Ba
-
Струен т а ансф - о мато о со поделен ад оgydF4y2Ba
-
ПрецизенAC / DC PCBмонтиранТипнапреноснаструја……gydF4y2Ba
-
Струентрансформатородтипотна直流имунсобирницаgydF4y2Ba